與傳統(tǒng)光源一樣，半導(dǎo)體發(fā)光二極體（LED）在工作期間也會(huì)產(chǎn)生熱量，其多少取決于整體的發(fā)光效率。在外加電能量作用下，電子和空穴的輻射復(fù)合發(fā)生電致發(fā)光，在P-N結(jié)附近輻射出來的光還需經(jīng)過芯片（chip）本身的半導(dǎo)體介質(zhì)和封裝介質(zhì)才能抵達(dá)外界（空氣）。綜合電流注入效率、輻射發(fā)光量子效率、芯片外部光取出效率等，最終大概只有30-40％的輸入電能轉(zhuǎn)化為光能，其餘60-70％的能量主要以非輻射復(fù)合發(fā)生的點(diǎn)陣振動(dòng)的形式轉(zhuǎn)化熱能。 |ZCn`9hvn  
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     而芯片溫度的升高，則會(huì)增強(qiáng)非輻射復(fù)合，進(jìn)一步消弱發(fā)光效率。因?yàn)�，人們主觀上認(rèn)為大功率 LED  沒有熱量，事實(shí)上確有。大量的熱，以至于在使用過程中發(fā)生問題。加上很多初次使用大功率LED 的人，對(duì)熱問題又不懂如何有效地解決，使得產(chǎn)品可靠性成為主要問題。那麼，LED 究竟有沒有熱量產(chǎn)生呢？能產(chǎn)生多少熱量呢？ LED 產(chǎn)生的熱量究竟有多大？ EvWzq%z l  
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     LED 在正向電壓下，電子從電源獲得能量，在電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下，克服PN 結(jié)的電場(chǎng)，由N 區(qū)躍遷到P 區(qū)，這些電子與P 區(qū)的空穴發(fā)生復(fù)合。由于漂移到P 區(qū)的自由電子具有高于P 區(qū)價(jià)電子的能量，復(fù)合時(shí)電子回到低能量態(tài)，多餘的能量以光子的形式放出。發(fā)出光子的波長與能量差 Eg 相關(guān)。可見，發(fā)光區(qū)主要在PN 結(jié)附近，發(fā)光是由于電子與空穴復(fù)合釋放能量的結(jié)果。一隻半導(dǎo)體二極體，電子在進(jìn)入半導(dǎo)體區(qū)到離開半導(dǎo)體區(qū)的全部路程中，都會(huì)遇到電阻。簡單地從原理上看，半導(dǎo)體二極體的物理結(jié)構(gòu)簡單地從原理上看，半導(dǎo)體二極體的物理結(jié)構(gòu)源負(fù)極發(fā)出的電子和回到正極的電子數(shù)是相等的。普通的二極體，在發(fā)生電子－空穴對(duì)的復(fù)合是，由于能級(jí)差Eg的因素，釋放的光子光譜不在可見光范圍內(nèi)。 <%Ostqj  
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電子在二極體內(nèi)部的路途中，都會(huì)因電阻的存在而消耗功率。所消耗的功率符合電子學(xué)的基本定律： qnoNT%xazo  
P ＝I2 R ＝I2（RN ＋＋RP ）＋I(xiàn)VTH MH{GR)ng:9  
式中：RN 是N 區(qū)體電阻 \uXcLhXN  
VTH 是PN 結(jié)的開啟電壓 e?Ho a$k  
RP 是P 區(qū)體電阻 ;w%*M}`5  
消耗的功率產(chǎn)生的熱量為： 1xbK'i:-S  
Q ＝  Pt ooV3gj4  
式中：t 為二極體通電的時(shí)間。 ^
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本質(zhì)上，LED 依然是一隻半導(dǎo)體二極體。因此，LED 在正向工作時(shí)，它的工作過程符合上面的敍述。它所它所消耗的電功率為： h-m\%