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    [轉(zhuǎn)載]解析中國(guó)功率半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀 [復(fù)制鏈接]

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    離線200713
     
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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2010-03-11
    目前國(guó)內(nèi)的功率半導(dǎo)體的現(xiàn)狀到底如何,和國(guó)外比較還有什么差距。為了更好的解答,半個(gè)月來,筆者和相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、業(yè)內(nèi)專家、業(yè)界人士進(jìn)行了交流,本博文將就國(guó)內(nèi)的功率半導(dǎo)體的現(xiàn)狀到底如何分析如下。 .>mH]/]m  
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    應(yīng)該說,在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中,半導(dǎo)體分立器件的作用長(zhǎng)期以來都沒有引起人們足夠的重視,政府的投入也很少,發(fā)展速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)滯后于集成電路。 e/"yGQu  
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    國(guó)內(nèi)分立器件廠商的主要產(chǎn)品以硅基二極管、三極管和晶閘管為主,目前國(guó)際功率半導(dǎo)體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來才有所涉及,且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的VDMOS器件,IGBT還處于研發(fā)階段。寬禁帶半導(dǎo)體器件主要是以微波功率器件(SiCMESFET和GaNHEMT)為主,尚未有針對(duì)市場(chǎng)應(yīng)用的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品器件的產(chǎn)品研發(fā)。 \)OZUch  
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    從功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品分類來說 Q^z=w![z  
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    1.普通二極管、三極管國(guó)內(nèi)的自給率已經(jīng)很高,但是在高檔的功率二極管,大部分還依賴進(jìn)口,國(guó)內(nèi)的產(chǎn)品性能還有不小的差距。 DA<F{n.Z:  
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    2.晶閘管類器件產(chǎn)業(yè)成熟,種類齊全,普通晶閘管、快速晶閘管、超大功率晶閘管、光控晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、高頻晶閘管都能生產(chǎn)。中國(guó)南車集團(tuán)現(xiàn)在可以生產(chǎn)6英寸、4000A、8500V超大功率晶閘管,居世界領(lǐng)先水平,已經(jīng)在我國(guó)的機(jī)車上大量使用,為我國(guó)的鐵路現(xiàn)代化建設(shè)做出了貢獻(xiàn)。 0bMoUy*q  
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    3.在功率管領(lǐng)域,逐步有國(guó)內(nèi)的企業(yè)技術(shù)水平上升到MOS工藝,MOSFET的產(chǎn)業(yè)有一定規(guī)模,進(jìn)入21世紀(jì)后,這類器件的產(chǎn)品已批量進(jìn)入市場(chǎng),幾十安培、200V的器件在民用產(chǎn)品上獲得了廣泛應(yīng)用,進(jìn)口替代已然開始。 EMVk:Vt]  
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    4.IGBT、FRD已經(jīng)有所突破,F(xiàn)RD初見規(guī)模。IGBT從封裝起步向芯片設(shè)計(jì)制造發(fā)展,從PT結(jié)構(gòu)向NPT發(fā)展,溝槽工藝正在開發(fā)中。IGBT產(chǎn)品進(jìn)入中試階段, ;{<aA 5  
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    5.在電源管理領(lǐng)域,2008年前十名都見不到國(guó)內(nèi)的企業(yè)。 403[oOj  
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    從功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來說 6g5PM4\  
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    1.設(shè)計(jì):國(guó)內(nèi)IGBT還處于研制階段,還沒有商品化的IGBT投入市場(chǎng),我國(guó)IGBT芯片的產(chǎn)業(yè)化道路比較漫長(zhǎng)。目前國(guó)內(nèi)的民營(yíng)和海歸人士設(shè)立的公司已經(jīng)研發(fā)出了低端的IGBT產(chǎn)品,如常州宏微、嘉興斯達(dá)。南車集團(tuán)就不說了。 3lo;^KX !  
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    2.制造:IGBT對(duì)于技術(shù)要求較高,國(guó)內(nèi)企業(yè)還沒有從事IGBT生產(chǎn)?紤]到IP保護(hù)以及技術(shù)因素的限制,外資IDM廠商也沒有在國(guó)內(nèi)進(jìn)行IGBT晶圓制造和封裝的代工。目前華虹NEC和成芯的8寸線、華潤(rùn)上華和深圳方正的6寸線均可提供功率器件的代工服務(wù)。 $4Z+F#mx  
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    3.封裝:我國(guó)只有少數(shù)企業(yè)從事中小功率IGBT的封裝,而且尚未形成規(guī);a(chǎn),在IGBT芯片的產(chǎn)業(yè)化以及大功率IGBT封裝領(lǐng)域的技術(shù)更是一片空白。 (GCG/8s  
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    從功率半導(dǎo)體工藝發(fā)展來說 =43I1&_   
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    1.BCD工藝已從無到有,從低壓向高壓發(fā)展,從硅基向SOI基發(fā)展。 O0^?f/&k  
    +7,8w  
    2.從封裝起步向芯片設(shè)計(jì)制造發(fā)展,從PT結(jié)構(gòu)向NPT發(fā)展,溝槽工藝正在開發(fā)中。 q[7CPE0n  
    y n SBVb!)  
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    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2010-03-11
    不錯(cuò) 長(zhǎng)見識(shí)了