1.引言 ImG8v[Q E  
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半導體激光器由于具有體積小、重量輕、效率高等眾多優(yōu)點，誕生伊始一直是激光領域的關注焦點，廣泛應用于工業(yè)、軍事、醫(yī)療、通信等眾多領域。但是由于自身量子阱波導結構的限制，半導體激光器的輸出光束質量與固體激光器、CO2激光器等傳統(tǒng)激光器相比較差，阻礙了其應用領域的拓展。近年來，隨著半導體材料外延生長技術、半導體激光波導結構優(yōu)化技術、腔面鈍化技術、高穩(wěn)定性封裝技術、高效散熱技術的飛速發(fā)展，特別是在直接半導體激光工業(yè)加工應用以及大功率光纖激光器抽運需求的推動下，具有大功率、高光束質量的半導體激光器飛速發(fā)展，為獲得高質量、高性能的直接半導體激光加工設備以及高性能大功率光纖激光抽運源提供了光源基礎。 IIih9I`IR  
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2.大功率半導體激光器件最新進展 6}m