據(jù)美國
物理學家組織網(wǎng)報道,美國得克薩斯A&M大學物理學家杰羅·斯納夫領導的一個國際科研小組在23日出版的《科學》雜志上宣布,他們研制出了首個能在高溫下工作的自旋場效應
晶體管(FET),該設備由電力控制,其功能基于
電子的自旋,其中包含一個與門邏輯設備。新突破將給
半導體納米電子學和
信息技術領域帶來新氣象。
, Rk9N iFd+2S% 英國日立劍橋實驗室、劍橋大學、諾丁漢大學、捷克科學院和查爾斯大學的研究人員首次將自旋—螺旋狀態(tài)和異常霍爾效應結合在一起,制造出了這種自旋FET,其中包括一個與門邏輯設備,自旋FET的概念于1989年首次提出,這是科學家首次在其中實現(xiàn)與門邏輯設備。
rJ`!: