從中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所獲悉，中國第一款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的相變存儲器(PCRAM)芯片研制成功，產(chǎn)業(yè)化前景可觀。據(jù)專家介紹，相比于傳統(tǒng)存儲器利用電荷形式進行存儲，相變存儲器主要利用可逆相變材料晶態(tài)和非晶態(tài)的導電性差異實現(xiàn)存儲，被稱為是“操縱原子排列而實現(xiàn)存儲”的新型存儲器。 Ij>G7Q*d  
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中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員、PCRAM研究項目負責人宋志棠表示，PCRAM相變存儲器不僅綜合了目前半導體存儲器市場上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存儲器的優(yōu)良特性，而且還具有微縮性能優(yōu)越、非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長、數(shù)據(jù)穩(wěn)定性強、功耗低等諸多優(yōu)勢，被認為是下一代非揮發(fā)存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。 F;bkV}^  
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