研究人員開發(fā)出砷化銦二維半導體量子膜
據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)近日報道,美國加利福尼亞大學伯克利分校研究人員開發(fā)出一種全新的二維半導體,這是一種由砷化銦制造的“量子膜”,具有帶狀結(jié)構(gòu),只需簡單地減小尺寸就能從塊狀三維材料轉(zhuǎn)變?yōu)槎S材料。相關論文發(fā)表在近期出版的《納米快報》上。 當半導體材料的尺寸小到納米級,它們在電學和光學方面的性質(zhì)就會發(fā)生極大改變,產(chǎn)生量子限制效應,由此人們可以制造出被稱為量子膜的二維晶體管。量子膜約為10納米或更少,其運行基本上被限制在一個二維空間中。由于這種獨特的性質(zhì),它們能在高度專業(yè)化的量子光學與電子應用領域大展所長。 目前二維半導體方面的研究大部分要用到石墨烯類的材料。加州大學伯克利分校的阿里·杰維帶領的研究小組通過另一種途徑制造出了砷化銦“量子膜”。而且新量子膜可以作為一種無需襯底的獨立材料,能和各種襯底結(jié)合,而以往其他同類材料只能用于一種襯底。 |