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    [下載]中頻磁控濺射制備GaN薄膜 [復制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2011-12-18
    關鍵詞： 磁控濺射薄膜
    中頻磁控濺射制備GaN薄膜摘要：采用中頻磁控濺射技術，以金屬 Ga 為靶材料，在 Si(111)襯底上形成了 GaN 薄膜，研究了濺射壓強、襯底溫度等對GaN薄膜結(jié)構(gòu)和成分的影響。發(fā)現(xiàn)沉積氣壓為0.4~1.0 Pa 時，薄膜呈GaN(002)取向，氣壓大于1.0 Pa 和小于0.4 Pa 時，用 X 射線衍射方法難以觀察到GaN(002)的衍射峰。X射線能譜分析表明在最佳實驗 5XB H$&Td  
    條件下制備的GaN薄膜的元素比Ga:N為1:1。 XpJ7o=?W3  
    sLQ^F  
    關鍵詞：中頻磁控濺射；GaN；X射線衍射；沉積速率
    附件: 中頻磁控濺射制備GaN薄膜.rar (1059 K) 下載次數(shù):3 ，售價:2光幣[記錄]
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    cyqdesign 光幣 +5 - 2011-12-18
     
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