據(jù)新華社華盛頓8月8日電，中國研究人員8日在美國《科學(xué)》雜志上報(bào)告說，他們在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。 據(jù)介紹，它的成功研制將有助我國掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在芯片設(shè)計(jì)與制造上逐漸獲得更多話語權(quán)。

研究負(fù)責(zé)人、復(fù)旦大學(xué)教授王鵬飛說：“我國集成電路產(chǎn)業(yè)主要依靠引進(jìn)和吸收國外成熟的技術(shù)，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術(shù)。半浮柵晶體管的成功研制將有助我國掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在芯片設(shè)計(jì)與制造上逐漸獲得更多話語權(quán)。”

據(jù)王鵬飛介紹，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是目前集成電路中的主流器件，過去幾十年工藝的進(jìn)步讓MOSFET晶體管的尺寸不斷縮小，越來越接近其物理極限，基于新結(jié)構(gòu)和新原理的晶體管成為當(dāng)前業(yè)界急需。半浮柵晶體管是在MOSFET晶體管中內(nèi)嵌一個(gè)廣泛用于低功耗電路的裝置——隧穿場效應(yīng)晶體管（TFET）制成。它的優(yōu)勢在于體積可更小，結(jié)構(gòu)更簡單，讀寫速度更快，且一片這樣的晶體管的功效可比得上多塊MOSFET晶體管。