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MEMS光開關(guān)的優(yōu)勢和發(fā)展動態(tài)分析 綿陽超光通信在mems光器件具有成熟工藝技術(shù)，目前成功開發(fā)出軍工級MEMS VOA。綿陽超光通信將在2013年10開始啟動MEMS光開關(guān)項目，預(yù)計2013年底出第一批MEMS光開關(guān)樣品，預(yù)計2014年6月完成MEMS光開關(guān)，優(yōu)質(zhì)低價軍工級MEMS光開關(guān)填補(bǔ)國內(nèi)空缺。 1.概述 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）就是將幾何尺寸或操作尺寸僅在微米、亞微米甚至納米量級的微機(jī)電裝置（如微機(jī)構(gòu)、微驅(qū)動器等）與控制電路高度集成在硅基或非硅基材料上的一個非常小的空間里，構(gòu)成一個機(jī)電一體化的器件或系統(tǒng)。MEMS器件具有體積小、重量輕、能耗低、慣性小、響應(yīng)時間短，可把多個不同功能、不同敏感方向或致動方向的微機(jī)構(gòu)大規(guī)模地集成在一起，并且可以通過微電鑄的方法進(jìn)行批量復(fù)制和大規(guī)模生產(chǎn)。 MEMS加工技術(shù)主要分為三類：非硅基材料上以X光深度光刻的LIGA技術(shù)；硅基或非硅基材料上的精密機(jī)械刻劃技術(shù)；在半導(dǎo)體集成電路技術(shù)之上發(fā)展起來的硅MEMS加工技術(shù)。 硅MEMS加工技術(shù)最早出現(xiàn)于二十世紀(jì)六十年代，所采用的主要技術(shù)是單晶硅各向異性腐蝕技術(shù)（體硅微機(jī)械），其代表產(chǎn)品是硅壓力傳感器。八十年代美國率先開發(fā)出以多晶硅為結(jié)構(gòu)層、二氧化硅為犧牲層的表面犧牲層技術(shù)（表面微機(jī)械），并開發(fā)出微硅靜電馬達(dá)，使得MEMS技術(shù)得到質(zhì)的飛躍發(fā)展。表面微機(jī)械加工技術(shù)與半導(dǎo)體集成電路技術(shù)最為相近，其主要特點(diǎn)是在薄膜淀積的基礎(chǔ)上，利用光刻、刻蝕等集成電路常用工藝制備微機(jī)械結(jié)構(gòu)，最終利用選擇腐蝕技術(shù)釋放結(jié)構(gòu)單元，獲得可微動結(jié)構(gòu)。進(jìn)入九十年代，隨著深槽刻蝕技術(shù)、鍵合技術(shù)及其它關(guān)鍵技術(shù)的成功應(yīng)用，體硅微機(jī)械又得到了飛速發(fā)展，并發(fā)展出多種體硅工藝與表面微機(jī)械工藝相互結(jié)合的新工藝。特別是開發(fā)出利用感應(yīng)耦合等離子體（ICP）和側(cè)壁鈍化（SPP）的先進(jìn)硅刻蝕工藝（ASE），可對硅材料進(jìn)行很大深寬比的三維微加工，其加工厚度可達(dá)幾百微米，側(cè)壁垂直度可接近九十度。這使得MEMS技術(shù)不僅在傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用得到迅速發(fā)展，而且在光纖通信、微型化學(xué)分析系統(tǒng)、DNA分析及微型機(jī)器人等領(lǐng)域的應(yīng)用研究也得到空前發(fā)展。 光纖通信在實(shí)現(xiàn)了高速、大容量點(diǎn)對點(diǎn)的傳輸后，上世紀(jì)末已進(jìn)入了光纖網(wǎng)絡(luò)時代。MEMS在光纖通信領(lǐng)域的應(yīng)用范圍十分寬廣，幾乎所有光網(wǎng)絡(luò)中的各個組成單元都能采用MEMS制作器件，并由此產(chǎn)生了一個新名詞：微光電子機(jī)械系統(tǒng)（MOEMS），它是機(jī)、電、光、磁、化學(xué)、自動控制、傳感技術(shù)與信息處理等多種技術(shù)的綜合。綜觀光纖通信器件的發(fā)展歷程，可以看出器件的發(fā)展趨勢為：塊狀堆集型®光纖型®MOEMS型®集成型。前兩種已經(jīng)形成產(chǎn)業(yè)化，并正在向小型化方向發(fā)展。在目前集成型器件還不十分成熟的情況下，MEMS（或MOEMS）型光器件已出現(xiàn)了商業(yè)化的產(chǎn)品。利用MEMS技術(shù)可以制作光纖通信傳輸網(wǎng)中的許多器件，如：光分插復(fù)用器（OADM）、光交叉連接開關(guān)矩陣（OXC-AS）、光調(diào)制器、光濾波器、波分復(fù)用解復(fù)用器、可調(diào)諧微型垂直腔表面發(fā)射半導(dǎo)體激光器（VCSEL）、可變光衰減器、增益均衡器及用于光路分配和耦合的微透鏡陣列等多種微型化光器件。 2.MEMS光開關(guān)的優(yōu)勢 |
