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    求Lcos技術(shù)!! [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2006-08-05
    大家好,誰(shuí)有關(guān)于Lcos技術(shù)方面的材料嗎?正在學(xué)習(xí),不吝賜教。
     
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    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2006-08-05
    轉(zhuǎn)貼,大家一起學(xué)習(xí): dA >=#/"  
    /.<%y 8v  
    什么是LCOS jv7-i'I@  
    >B(%$jG Z  
      LCOS(Liquid Crystal on Silicon)屬于新型的反射式micro LCD投影技術(shù),其結(jié)構(gòu)是在矽晶圓上長(zhǎng)電晶體,利用半導(dǎo)體制程制作驅(qū)動(dòng)面板(又稱(chēng)為CMOS -LCD),然后在電晶體上透過(guò)研磨技術(shù)磨平,并鍍上鋁當(dāng)作反射鏡,形成CMOS基板,然后將CMOS基板與含有透明電極之上玻璃基板貼合,再抽入液晶,進(jìn)行封裝測(cè)試。 , f9V`Pz)  
    #g[jwl'  
      簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),LCOS是直接與映像管(CRT)投影技術(shù)、高溫多晶矽液晶(Ploy-Si LCD)穿透式投影技術(shù)、DMD(Digital Micromirror Device)數(shù)位光學(xué)處理(DLP; Digital Light Projector)反射式技術(shù)相關(guān)。這三項(xiàng)技術(shù)已發(fā)展成熟,但LCOS則成為投影顯示技術(shù)的新主流。 &No6k~T0:b  
    Poy ]5:.  
      LCOS技術(shù)借硅基CMOS集成電路技術(shù),在單晶硅片上CMOS陣列取代a一Si TFT LCD中玻璃基板上a一Si TFT陣列,相比之下前者生產(chǎn)技術(shù)更成熟,還有單晶硅遷移率遠(yuǎn)高于a一Si遷移率,因此不僅適合于高密度、高分辨率、高開(kāi)口率顯示,而且可以周邊驅(qū)動(dòng)電路集成一體,甚至可以集成信息處埋系統(tǒng)。 f!hQ"1[  
    $3>k/*=  
      省電、便宜與高解析度為L(zhǎng)COS最大優(yōu)點(diǎn) 58\rl G  
    ] -"~?  
      LCOS可視為L(zhǎng)CD的一種,但傳統(tǒng)的LCD是做在玻璃基板上,但LCOS則是長(zhǎng)在矽晶圓上。和LCOS的相對(duì)比的產(chǎn)品,最常用在投影機(jī)上的高溫多晶矽LCD為代表。后者通常用穿透式投射的方式,光利用效率只有3%左右,解析度不易提高;LCOS則采用反射式投射,光利用效率可達(dá)40%以上,且其最大的優(yōu)勢(shì)是可利用最廣泛使用、最便宜的CMOS制程,毋需額外的投資,并可隨半導(dǎo)體制程快速的微細(xì)化,易于提高解析度。反觀高溫多晶矽LCD則需另投資設(shè)備,且屬于特殊制程,成本不易降低。 RM\it"g  
    Kp?):6  
     。蹋茫希蛹夹g(shù)特性 USfpCRj9  
    +F3@-A  
      與穿透式HTPS-LCD及DLP相比,LCOS具有下列優(yōu)勢(shì): MGpP'G:v  
    GJz d4kj  
      光利用效率高:LCOS與LCD投影顯示器類(lèi)似,主要的差別就是LCOS屬反射式成像,所以光利用效率可達(dá)40%以上,與DLP相當(dāng),而穿透式LCD僅有3-10%而已。 #<d f!)  
    0[ MQp"z  
      體積。海蹋茫希涌蓪Ⅱ(qū)動(dòng)IC等外圍線(xiàn)路完全整合至CMOS基板上,減少外圍IC的數(shù)目及封裝成本,并使體積縮小。 ucP}( $  
    K{)N:|y%!$  
      分辨率高:由于LCOS的晶體管及驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路都制作于硅基板內(nèi),位于反射面之下,不占表面面積,所以?xún)H有像素間隙占用開(kāi)口面積,不像穿透式LCD的TFT及導(dǎo)線(xiàn)皆占用開(kāi)口面積,故理論上LCOS不論分辨率或開(kāi)口率都會(huì)比穿透式LCD高。分辨率普遍達(dá)到SXGA等級(jí)(1280×1024) .),ql_sXr  
    t mAj  
      制造技術(shù)較成熟:LCOS的制作可分為前道的半導(dǎo)體CMOS制造及后道的液晶面板貼合封裝制造。前道的半導(dǎo)體CMOS制造已有成熟的設(shè)計(jì)、仿真、制作及測(cè)試技術(shù),所以目前良率已可達(dá)90%以上,成本極為低廉;至于后道的液晶面板貼合封裝制造,雖然據(jù)說(shuō)目前的良率只有30%,但由于液晶面板制造已發(fā)展得相當(dāng)成熟,理論上其良率提升速率應(yīng)遠(yuǎn)高于DMD芯片,所以LCOS應(yīng)比DLP更有機(jī)會(huì)取代穿透式HTPS-LCD成為投影顯示技術(shù)的主流。