在PMMA基底上鍍AR膜系,905nm增透。 2\s-4H|
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基片經超聲波中性洗劑清洗后,放在恒溫箱中75℃,退火2h;在光馳機器中不加熱,開離子源,真空抽至2E-3開始鍍(Ta2O5/石英環(huán))。 RmzK?muk
出鍋后,基片上的膜層就出現(xiàn)明顯裂痕。 ,t)mCgbcO
基片翻面放進機器,降低鍍石英環(huán)的離子轟擊能量,并在出鍋后,直接放入恒溫箱中75℃退火2h。結果是基片沒有裂痕,但膜層一擦就掉。 ]%mg(&p4
請教下各位,應該怎樣有效的降低PMMA的內應力,工藝上有哪些不當?shù)牡胤较M梢圆涣哐赞o予以指正,謝謝!