人類在其進(jìn)化過程中，適應(yīng)了太陽可見光譜混合而成的白光，白光照明顯得非常重要。到今天，白光照明在經(jīng)歷了第一代白熾燈、第二代熒光燈后，進(jìn)入了第三代白光LED。白光LED具有的高能效（10倍于白熾燈）、環(huán)保、應(yīng)用范圍廣、壽命長（50倍于白熾燈）等諸多方面的優(yōu)勢使其在全世界范圍內(nèi)推廣使用。        紅、綠、藍(lán)三基色I(xiàn)II-V族LED的混合可以產(chǎn)生白光，能量損耗小，發(fā)光效率高，器件顯色指數(shù)容易控制和改善。但是，由于各色LED芯片的發(fā)光效率、驅(qū)動(dòng)電壓以及溫度特性等各不相同，導(dǎo)致電路設(shè)計(jì)和協(xié)同控制困難；另外，使用多芯片技術(shù)發(fā)光的成本較高，不利于商業(yè)化。在藍(lán)光或（近）紫外III-V族LED芯片基礎(chǔ)上，用黃色熒光粉或紅、綠、藍(lán)三種顏色的熒光粉封裝得到的白光，其顯色指數(shù)普遍較高，色溫可以得到調(diào)整。但是，這種方案過分依賴熒光粉調(diào)節(jié)，得到的白光LED效率不高。 p_X{'=SQ1  
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        ZnO白光LED是一個(gè)解決以上問題的研究方向。ZnO是一種寬禁帶直接帶隙n型半導(dǎo)體材料，具有高的激子束縛能(60 meV),在室溫（26 meV）下，激子能夠穩(wěn)定存在，可以實(shí)現(xiàn)室溫下的高效的激子受激發(fā)而成為新一代的半導(dǎo)體發(fā)光材料。由于ZnO的p型摻雜會(huì)導(dǎo)致晶體的馬德隆能升高，加上ZnO自身存在嚴(yán)重的自補(bǔ)償效應(yīng)，使得ZnO的p型摻雜難以實(shí)現(xiàn)。目前p型ZnO的實(shí)現(xiàn)仍然是國際普遍公認(rèn)的難題，也是目前國內(nèi)外研究的重點(diǎn)與熱點(diǎn)。 BC\W`K  
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         武漢光電國家實(shí)驗(yàn)室高義華教授近年來一直致力于基于ZnO一維納米材料的光電器件研究。他帶領(lǐng)碩士生任小亮，博士生張翔暉，聯(lián)合蘇俊博士、李露穎副教授，劉逆霜副教授和國家脈沖強(qiáng)磁場中心的韓俊波副教授等人，通過簡單的化學(xué)氣相沉積方法，一步實(shí)現(xiàn)了基于高質(zhì)量的銻(Sb)摻雜p型ZnO納米線陣列/n型GaN薄膜的白光LED。通過X射線光電子能譜（XPS）分析和元素分布像分析，發(fā)現(xiàn)Sb成功摻雜ZnO陣列。室溫PL光譜顯示了Sb元素?fù)诫s前后帶邊能級(jí)變化，低溫PL（4.65 K）光譜分析發(fā)現(xiàn)Sb元素?fù)诫s在ZnO能帶中形成穩(wěn)定的受主能級(jí)與深能級(jí)，進(jìn)一步的IV測試表明p型ZnO陣列成功實(shí)現(xiàn)。 PG}Roj I  
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        基于p-ZnO/n-GaN的一步白光LED，在8.0-15.5 V工作電壓下色溫穩(wěn)定在3500 K左右，相比于一般白光LED的實(shí)現(xiàn)方法簡單易操作，且所發(fā)白光為適于家居照明的暖白光。該工作為白光LED的發(fā)展帶來新思路和物質(zhì)載體。2015年2月25日，Adv.Funct.Mater.(IF:10.439, Vol.25, 2182-2188 (2015)) 發(fā)表了其研究成果“基于銻摻雜氧化鋅納米陣列一步實(shí)現(xiàn)暖白光LED的研究”（White Light-Emitting Diode From Sb-Doped p-ZnO Nanowire Arrays/n-GaN Film）。 QZIzddwp  
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        該研究工作得到了國家“973計(jì)劃”(2011CB933300)、國家自然科學(xué)基金(11374110, 11074082, 11204093, 51371085, 11304106)等項(xiàng)目的資助。 iQS,@6  
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