半導(dǎo)體材料中的光電轉(zhuǎn)換過程是光電探測(cè)器和太陽能器件的基礎(chǔ)，也一直是半導(dǎo)體材料和物理領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。傳統(tǒng)半導(dǎo)體物理理論認(rèn)為：在低維材料中，光生載流子在形成后會(huì)弛豫到基態(tài)，由于受到量子限制，光生載流子難于逃離限制勢(shì)壘形成有效的光電流。因此，將低維半導(dǎo)體材料應(yīng)用于光伏和探測(cè)器領(lǐng)域一直難以成功。 _w!a`w*3  
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　　近期，中國(guó)科學(xué)院物理研究所E03組的博士生王文奇、吳海燕、楊浩軍以及王祿、馬紫光、江洋副研究員在陳弘研究員的指導(dǎo)下，與劉伍明研究員課題組合作，采用共振激發(fā)光致發(fā)光譜技術(shù)（即采用介于低維材料和其勢(shì)壘的禁帶寬帶的激光能量，只選擇性激發(fā)低維材料中的電子和空穴，而不在勢(shì)壘中形成光生載流子），在InGaN量子阱，InGaAs量子阱，InAs量子點(diǎn)等多個(gè)材料體系中均觀察到了在PN結(jié)作用下的載流子高效逃逸現(xiàn)象。 Qhn;`9+L  
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