重慶研究院在2D材料量子調(diào)控研究方面取得新進展
日前,中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院量子信息技術(shù)中心在2D材料量子調(diào)控研究方面取得新進展,相關(guān)研究成果以Bandgap modulation of MoS2 monolayer by thermal annealing and quick cooling 為題發(fā)表在Nanoscale 期刊上。相關(guān)成果同時申報了國家專利:“一種基于熱應(yīng)變對二維薄膜材料的量子效率和能帶的同步調(diào)制技術(shù)”(專利號:201610897889.7)。 隨著石墨烯材料的廣泛應(yīng)用,后續(xù)一系列類石墨烯材料包括硅烯、鍺烯、MoS2、MoSe2、WSe2等相繼被提出,特別是其中一些材料具備石墨烯材料所不具備的直接帶隙性質(zhì),從而使得這些材料擁有了在量子光學(xué)和光電子學(xué)等領(lǐng)域的重大應(yīng)用潛力,獲得了廣泛重視。為了進一步提升基于二維薄膜材料的光、電性能,利用應(yīng)變對材料能帶的調(diào)制成為調(diào)制二維材料性能的重要手段。截至目前,利用應(yīng)變對能帶的調(diào)制幾乎全部以機械應(yīng)變的形式提出。然而,機械應(yīng)變對能帶的調(diào)制需要以犧牲材料的量子效率為代價;同時,機械應(yīng)變不能在材料上形成永久性的應(yīng)變。 |