近日，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實驗室研究員趙建華團(tuán)隊及合作者在《納米快報》(Nano Letters)上發(fā)表了制備出近全組分可調(diào)的高質(zhì)量GaAs1-xSbx納米線的成果。 'G

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　　作為重要的三元合金半導(dǎo)體，GaAs1-xSbx具有禁帶寬度從1.42 eV (GaAs)到0.72 eV (GaSb)大范圍調(diào)諧的特點(diǎn)，對應(yīng)波長調(diào)諧范圍為870~1720 nm，是一種極具潛力的能帶工程材料，在光纖通信系統(tǒng)、紅外發(fā)光二極管、光探測器、激光器及異質(zhì)結(jié)雙極晶體管等方面具有重要的應(yīng)用前景。然而，由于高Sb組分的GaAs1-xSbx與III-V族半導(dǎo)體襯底之間存在較大的晶格失配，制備高質(zhì)量的高Sb組分GaAs1-xSbx薄膜仍存在很大的挑戰(zhàn)。但是將GaAs1-xSbx制備成納米線有望提高GaAs1-xSbx材料的質(zhì)量，目前，人們已經(jīng)利用金屬有機(jī)氣相沉積及分子束外延等技術(shù)在Si襯底上制備出GaAs1-xSbx納米線，但幾乎所有這些納米線中Sb組分均低于0.5。大組分可調(diào)諧的高質(zhì)量GaAs1-xSbx納米線的可控制備是困擾人們的難題。 coWB