lzh123:均勻性的問題。。。。。影響均勻性的素較多 (2017-07-08 18:04)  Sf`?j  

!qs~j=;y3  
好的   ，謝謝指導。我再試試看

fly6947:我建議你做一下圖一的重復性，如果每爐差，但是情況不一樣，那么是你的敏感層是H4，要么膜系結構優(yōu)化一下，（圖2是單峰結構，敏感度沒那么高）要么控制H4的預熔與充氧量；
如果每爐都這樣，那肯定是均勻性沒做好，有條件的話  高低折射率的mask單獨修一下；
....... (2017-06-29 08:46)  &uTK@ G+  

yYZ0o.<&T*  
H4  和SIO2用的是用一個。單層和膜系里單層肯定還是有些差異。敏感層是只有幾個NM。因為反射要求1.0下。

個人覺得，先去看看你設計的膜系里邊有沒有特別薄的層，然后該層的蒸發(fā)速率有多大，兩者之間匹配是否合理，就好比H4總膜厚5nm，然后速率設置的為5A/s，那就是說10s就可以鍍完了，在鍍膜過程中有一個過沖值，就是擋板收到指令關閉與完全關閉有大概2S的延遲，也就是說這兩秒鐘還有膜料在蒸鍍，這樣就會對特性造成很大的影響。第二個就是看一下鍍膜過程中光板的位置是否變動較大，導致內外圈差異較大。再或者就是鍍膜過程中是否出現鍍膜異常。還有就是你的傘罩有沒有變形，每次取的測試片是否為同一位置，傘罩變形的話每次取不同位置的鏡片特性自然不一樣。

敏感層的話，可以降低蒸發(fā)速率，增加鍍膜傘的轉速。最好是在設計上解決。 )[hQK_e]  
一般如果有鍍膜傘轉5周以內就結束的層，就不是好的設計。

謝謝各位分析！

H4有連續(xù)使用嗎？或者餡料，打坑過深影響蒸發(fā)角度所致

SiO2和H4光斑都不一樣，蒸發(fā)曲線有差異，修正板形狀肯定不一樣。 }QL 2#R  
建議你重新確認下單層。 !5P\5WF~Y  
O+o1R24JI  
敏感層上把傘架轉速增加，如果可以同時把蒸發(fā)速率降低。 Je#vl4<L  
然后再看看。

奔跑的小駿馬:個人覺得，先去看看你設計的膜系里邊有沒有特別薄的層，然后該層的蒸發(fā)速率有多大，兩者之間匹配是否合理，就好比H4總膜厚5nm，然后速率設置的為5A/s，那就是說10s就可以鍍完了，在鍍膜過程中有一個過沖值，就是擋板收到指令關閉與完全關閉有大概2S的延遲，也就是說這兩秒鐘還有膜 .. (2017-07-10 18:16)  >g!a\=-[  

OKU9v{  
這個膜后少的都是用2.0 或3.0.

suninrain:H4有連續(xù)使用嗎？或者餡料，打坑過深影響蒸發(fā)角度所致 (2017-09-14 00:04)  */iD68r|-  

P9~7GFas|  
這個有可能是一個鍋，有小坑不是很深，這個可能大一點。

有時候層數不一樣最佳修正板形狀也不一樣。 最薄的層是2nm 3nm嗎？這個是不是太薄了，膜表面的粗糙度都比這個大吧。感覺會大大增加鍍膜誤差。