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2018-06-09 17:15 |
新發(fā)現(xiàn)推進(jìn)了未來(lái)晶體管的微型化
不斷縮小的晶體管是計(jì)算機(jī)處理速度更快,效率更高的關(guān)鍵。自20世紀(jì)70年代以來(lái),電子技術(shù)很大程度上是以緩慢平穩(wěn)的步伐在進(jìn)步,這些微小的元件同時(shí)發(fā)展得越來(lái)越小,越來(lái)越強(qiáng)大 - 直至當(dāng)前的納米級(jí)尺寸。但隨著研究人員努力克服晶體管是否已經(jīng)達(dá)到了其尺寸極限,近年來(lái)晶體管尺寸縮小技術(shù)進(jìn)展緩慢。在阻礙進(jìn)一步小型化的障礙列表中名列前茅的是:“泄漏電流”造成的問(wèn)題。 TTFs|T6`q Rzh.zvxTp 當(dāng)兩個(gè)金屬電極之間的間隙變窄到電子不再被其勢(shì)壘所阻擋時(shí),就會(huì)產(chǎn)生漏電流,這種現(xiàn)象稱(chēng)為量子力學(xué)隧道效應(yīng)。隨著間隙持續(xù)變窄,這種隧穿傳導(dǎo)以指數(shù)級(jí)的更高速率增加,使得進(jìn)一步小型化極具挑戰(zhàn)性。研究者們一直認(rèn)為,真空勢(shì)壘是減少隧穿效應(yīng)的最有效手段,使其成為絕緣晶體管的最佳選擇。但是,即使是真空勢(shì)壘也可能會(huì)由于量子隧穿效應(yīng)而導(dǎo)致一些泄漏。 :F@Uq<~( Z\U
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