超分辨光刻裝備研制項目通過驗收，光刻分辨力達到22納米！
2018年11月29日，由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所承擔(dān)的國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”順利通過驗收。驗收專家組由中國科學(xué)院理化技術(shù)研究院許祖彥院士擔(dān)任組長。該項目組結(jié)合實際應(yīng)用需求，通過技術(shù)的延伸，實現(xiàn)了系列化的超分辨光刻裝備研制，解決了多種微納功能材料和器件的加工難題，并實現(xiàn)了相關(guān)器件的制造，相關(guān)器件已在多家科研院所和高校的重大研究任務(wù)中取得應(yīng)用。 t 4*aVHT
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中科院光電所科研人員操作超分辨光刻設(shè)備（供圖：中科院科技攝影聯(lián)盟） * , |)~$=>
微納光刻技術(shù)是現(xiàn)代先進制造的重要方向，是信息、材料等諸多領(lǐng)域的核心技術(shù)，其水平高低也是體現(xiàn)一個國家綜合實力的標(biāo)志。然而，由于歷史原因，我國在此領(lǐng)域長期落后于并受制于西方發(fā)達國家;另外一方面，光學(xué)超材料、變革性光學(xué)等諸多顛覆性技術(shù)的出現(xiàn)，迫切需要發(fā)展專用的微納制造工具。 & *h`b{]
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深紫外光刻作為國際領(lǐng)先的主流納米技術(shù)，由于衍射極限的限制，即使通過數(shù)十片超精密復(fù)雜鏡片，還需采用浸沒式、多次曝光、多重圖形等技術(shù)進一步提高分辨力，導(dǎo)致光刻裝備成本極高。電子束、離子束直寫技術(shù)雖然分辨率能達到10nm量級，但效率極低，難以滿足新興領(lǐng)域?qū){米制造的需求! }C9VT Js|
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2003年，中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所在國際上率先發(fā)現(xiàn)了異常楊氏雙縫干涉現(xiàn)象，揭示了亞波長結(jié)構(gòu)中存在一種超構(gòu)表面波，且其波長可以調(diào)制到軟X射線尺度，為突破衍射極限提供了全新的原理方法和直接的手段。2012年，光電所承擔(dān)了國家重大科研裝備——超分辨光刻裝備項目。經(jīng)過近6年艱苦攻關(guān)，在無國外成熟經(jīng)驗可借鑒的情況下，項目組突破了高均勻性照明，超分辨光刻鏡頭，納米級分辨力檢焦及間隙測量，超精密、多自由度工件臺及控制等關(guān)鍵技術(shù)，完成了國際上首臺分辨力最高的超分辨光刻裝備研制。采用365nm波長光源，單次曝光最高線寬分辨力達到22nm(約1/17曝光波長)。在此基礎(chǔ)上項目組結(jié)合項目開發(fā)的高深寬比刻蝕、多重圖形等配套工藝，實現(xiàn)了10nm以下特征尺寸圖形的加工。該項目目前已獲得了授權(quán)國內(nèi)發(fā)明專利47項，國外發(fā)明專利4項，擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)。 aA!@;rR<yU
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項目副總設(shè)計師胡松研究員介紹超分辨光刻裝備研制項目攻關(guān)情況（供圖：中科院科技攝影聯(lián)盟） !^rITiy
專家組一致認(rèn)為：項目組按照實施方案的要求,圓滿完成了超分辨光刻裝備的研制工作，裝備所有技術(shù)指標(biāo)均達到或優(yōu)于實施方案規(guī)定的考核指標(biāo)要求,關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達到超分辨成像光刻領(lǐng)域的國際領(lǐng)先水平。項目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線，繞過了國外高分辨光刻裝備技術(shù)知識產(chǎn)權(quán)壁壘，實現(xiàn)了我國技術(shù)源頭創(chuàng)新,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、技術(shù)自主可控的超分辨光刻裝備。項目組突破了超分辨光刻鏡頭、精密間隙檢測、納米級定位精度工件臺、高深寬比刻蝕和多重圖形配套光刻工藝等核心關(guān)鍵技術(shù),加工分辨力已延伸到10nm以下。利用超分辨光刻裝備，為多家單位制備了一系列納米功能器件，驗證了超分辨光刻裝備納米功能器件加工能力，已達到實用化水平。專家組一致同意項目通過驗收。
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