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2018-12-03 23:50 |
我國新一代超分辨光刻機(jī)通過驗(yàn)收
隨著微納米技術(shù)向光學(xué)領(lǐng)域的擴(kuò)展,微納光學(xué)結(jié)構(gòu)的制造技術(shù)已成為現(xiàn)代先進(jìn)制造的重要方向,其水平高低也是體現(xiàn)一個國家綜合實(shí)力的標(biāo)志之一。如何研制出面向微納光學(xué)結(jié)構(gòu)制造的光刻裝備成為相關(guān)領(lǐng)域科技工作者追求的目標(biāo)。 f=T&$tZ< HA]5:ck 11月29日,由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所(以下簡稱光電所)承擔(dān)的國家重大科研裝備研制項(xiàng)目“超分辨光刻裝備研制”通過驗(yàn)收,該裝備用365nm波長的紫外光單次成像實(shí)現(xiàn)了22nm的分辨率,為光學(xué)超材料/超表面、第三代光學(xué)器件、傳感芯片等納米光學(xué)加工提供了全新的解決途徑。 /5"RedP< _<6B.{$\7m 突破分辨力衍射極限 ,^@z;xF
KU 98"b5 光學(xué)光刻作為主流的微電子芯片制造技術(shù),具有獨(dú)特的優(yōu)勢。需要不斷地通過縮短波長、增大數(shù)值孔徑提高分辨力,來滿足微電子技術(shù)的發(fā)展。 $_Q]3"U Y20T$5{# 在光電所的努力下,本項(xiàng)目利用表面等離子體超分辨成像原理,突破了衍射極限,不是通過縮短波長或增大數(shù)值孔徑來實(shí)現(xiàn)的,為突破多個光刻分辨力節(jié)點(diǎn)提供了一種全新的技術(shù)。 ^C70b)68 8<PQ31 驗(yàn)收專家組表示:“項(xiàng)目在原理上突破分辨力衍射極限,建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線,繞過了高分辨光刻裝備技術(shù)知識產(chǎn)權(quán)壁壘” UKzXz0 AGK{t+` 開辟“新”光刻技術(shù)和裝備 mG.H=iw bD<hzOa 為什么這臺光刻裝備采用了新的原理和技術(shù)?光電所研究員、項(xiàng)目副總設(shè)計師胡松告訴記者,該成像(任意圖形)步進(jìn)重復(fù)光刻(非直寫)裝備難度很大,項(xiàng)目組必須開辟一條新路徑。 h4N&Ybfo /A1qTG=Br 自2003年以來,光電所在超分辨成像光刻技術(shù)方面進(jìn)行了深入系統(tǒng)地探索,取得了多項(xiàng)技術(shù)突破。在此基礎(chǔ)上,瞄準(zhǔn)領(lǐng)域需求,2012年承擔(dān)了國家重大科研裝備——超分辨光刻裝備項(xiàng)目。經(jīng)過近7年艱苦攻關(guān),項(xiàng)目組突破了高均勻性照明,超分辨光刻鏡頭,納米級分辨力檢焦及間隙測量,超精密、多自由度工件臺及控制等關(guān)鍵技術(shù),完成了裝備研制。 `[F[0fY- DQhs
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