| 探針臺 |
2019-02-26 11:26 |
白話科普芯片漏電定位手段
芯片漏電是失效分析案例中最常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來，在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個誤區(qū)，認(rèn)為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)（laser scan Microscope). Z|Xv_Xo|4
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目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采用的有三種方法，這三種方法分別被申請了專#利（日本OBIRCH、美國TIVA、新加坡VBA）。國內(nèi)大多數(shù)人認(rèn)為只有OBIRCH才是激光誘導(dǎo)，其實TIVA和VBA和OBIRCH是同等的技術(shù)。三種技術(shù)都是利用激光掃描芯片表面的情況下，偵測出哪個位置的阻抗有較明顯變化，這個位置就可能是漏電位置。偵測阻抗變化就是用電壓和電流來反映，下面是三個技術(shù)原理： @$ d_JwI
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1、OBIRCH和TIVA [kg*BaG:
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如上圖是一個器件的漏電回路，R1代表漏電點的阻抗，I1代表回路電流，V代表回路上的電壓。
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