三星將推出芯片新技術：性能提高35%能耗降50%
三星將于2021年向市場推出一項突破性的處理器技術，對最基本的電子元件進行根本性改造，使芯片性能提高35%，同時使能耗降低50%。據(jù)悉，當?shù)貢r間周二三星在于加州圣克拉拉舉行的三星鑄造論壇(Samsung Foundry Forum)上宣布，這項名為“環(huán)繞柵極”(gate all around，GAA)的技術能夠對芯片核心晶體管進行重新設計和改造，使其更小更快。 _yH`t[
K#mOSY;}
[attachment=93257] =!b6FjsiG
圖示：三星的環(huán)繞柵極技術（GAA）能夠對芯片晶體管進行重新設計 $m| V :/
到2021年，應用這種技術的芯片問世后將成為三星與英特爾和臺積電等競爭對手的交手中邁出的重要一步。三星希望借此加快芯片行業(yè)的發(fā)展步伐。近年來，芯片行業(yè)一直難以克服極端小型化帶來的工程挑戰(zhàn)。 oPQtGl p
|