| 探針臺 |
2019-07-31 16:17 |
漏電定位EMMI
主要用途 ;MTz]c
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當(dāng)氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)時，產(chǎn)生了過量的電子和空穴結(jié)合并產(chǎn)生躍遷光子，由探測器通過顯微鏡收集這些光子并精確地定位出其位置，通常這個位置就是存在異常的缺陷位置。 /3^P_\,>f
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性能參數(shù) `"y{;PCt_
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a)InGaAs檢測器，分辨率：320*256 像素； <lFY7' aY
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b)偵測波長范圍900nm - 1700nm Z}cIA8 7U
rH}fLu8,;Q
c)像素尺寸：30um x 30um Mg uL$W&l
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d)曝光時間 20ms - 400s A'eA u
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e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x >,g5Hkmqr
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f)Back side EMMI q6[}ydV
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應(yīng)用范圍 =l|>.\-
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1.P-N接面漏電 {
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2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 x1DVD!0
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