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2019-08-14 10:19 |
晶圓清洗
晶圓清洗 (@S 9>z4s
摘要：介紹了半導(dǎo)體IC制程中存在的各種污染物類型及其對(duì)IC制程的影響和各種污染物的去除方法, 并對(duì)濕法和干法清洗的特點(diǎn)及去除效果進(jìn)行了分析比較。
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; c1 {2 u5 g) G x/ f) `9 d關(guān)鍵詞：濕法清洗；RCA清洗；稀釋化學(xué)法；IMEC清洗法；單晶片清洗；干法清洗 MI~Q Xy,
. Q# t, ~6 g6 f& j8 P/ ?中圖分類號(hào)：TN305.97 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：B 文章編號(hào)：1003-353X(2003)09-0044-048 ^c| 0?EH
1前言 m`jGBSlw_
半導(dǎo)體IC制程主要以20世紀(jì)50年代以后發(fā)明的四項(xiàng)基礎(chǔ)工藝（離子注入、擴(kuò)散、外延生長(zhǎng)及光刻）為基礎(chǔ)逐漸發(fā)展起來，由于集成電路內(nèi)各元件及連線相當(dāng)微細(xì)，因此制造過程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導(dǎo)致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外，集成電路制造步驟如高溫?cái)U(kuò)散、離子植入前等均需要進(jìn)行濕法清洗或干法清洗工作。干、濕法清洗工作是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學(xué)溶液或氣體清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機(jī)物之雜質(zhì)�！� S e(apQ H
' O( O& o6 r7 [$ o6 S3 R! X2污染物雜質(zhì)的分類 7>-99o^W
8 ?. X8 k$ Y1 y+ [' F5 ^) \% f" dIC制程中需要一些有機(jī)物和無機(jī)物參與完成，另外，制作過程總是在人的參與下在凈化室中進(jìn)行，這樣就不可避免的產(chǎn)生各種環(huán)境對(duì)硅片污染的情況發(fā)生。根據(jù)污染物發(fā)生的情況，大致可將污染物分為顆粒、有機(jī)物、金屬污染物及氧化物。 ,,-j5Y
C$ a: E& t5 [6 B3 v- ~2.1 顆粒, @/ e& ~, I/ |# C$ R rK4
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& @# R' H+ X8 n& l6 U4 D& @顆粒主要是一些聚合物、光致抗蝕劑和蝕刻雜質(zhì)等。通常顆粒粘附在硅表面，影響下一工序幾何特征的形成及電特性。根據(jù)顆粒與表面的粘附情況分析，其粘附力雖然表現(xiàn)出多樣化，但主要是范德瓦爾斯吸引力，所以對(duì)顆粒的去除方法主要以物理或化學(xué)的方法對(duì)顆粒進(jìn)行底切，逐漸減小顆粒與硅表面的接觸面積，最終將其去除。 2t7=GA+j
# V- I! `1 D8 l( U2 @/ j. V8 U2.2 有機(jī)物 0 ~& @6 d) p" ]- B- R4 |. T! W+ h- W! T+ w# f% L &+/$~@OK
有機(jī)物雜質(zhì)在IC制程中以多種形式存在，如人的皮膚油脂、凈化室空氣、機(jī)械油、硅樹脂真空脂、光致抗蝕劑、清洗溶劑等。每種污染物對(duì)IC 制程都有不同程度的影響，通常在晶片表面形成有機(jī)物薄膜阻止清洗液到達(dá)晶片表面。因此有機(jī)物的去除常常在清洗工序的第一步進(jìn)行。 ; x0 ?+ F: t- K' ? x_= 3 !)
2.3 金屬污染物 `* z: C3 S" }5 ^6 [. b0 y Z*'_/Grv?
IC電路制造過程中采用金屬互連材料將各個(gè)獨(dú)立的器件連接起來，首先采用光刻、蝕刻的方法在絕緣層上制作接觸窗口，再利用蒸發(fā)、濺射或化學(xué)汽相沉積（CVD）形成金屬互連膜，如Al-Si，Cu等，通過蝕刻產(chǎn)生互連線，然后對(duì)沉積介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）。這個(gè)過程對(duì)IC制程也是一個(gè)潛在的污染過程，在形成金屬互連的同時(shí)，也產(chǎn)生各種金屬污染。必須采取相應(yīng)的措施去除金屬污染物。 '(8}
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1 b% J8 s2 G7 f2.4 原生氧化物及化學(xué)氧化物 * r5 y! G& b' ]0 d7 ~ !@> :k3DC&
硅原子非常容易在含氧氣及水的環(huán)境下氧化形成氧化層，稱為原生氧化層。硅晶圓經(jīng)過SC-1和SC-2溶液清洗后，由于雙氧水的強(qiáng)氧化力，在晶圓表面上會(huì)生成一層化學(xué)氧化層。為了確保閘極氧化層的品質(zhì)，此表面氧化層必須在晶圓清洗過后加以去除。另外，在IC制程中采用化學(xué)汽相沉積法（CVD）沉積的氮化硅、二氧化硅等氧化物也要在相應(yīng)的清洗過程中有選擇的去除。 Ub[UB%(T
* ]5 `. J& `6 A% }1 T7 N3清洗方法分類 wL&[Vi_j{
I; Q* L4 c$ {% u, J$ h& N" P4 {$ @+ V3.1 濕法清洗 U)1hC^[!
% U* W; X* Y* X0 o1 Y& n+ f3 E濕法清洗采用液體化學(xué)溶劑和DI水氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機(jī)物及金屬離子污染。通常采用的濕法清洗有RCA清洗法、稀釋化學(xué)法、 IMEC清洗法、單晶片清洗等.
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