| 探針臺 |
2019-08-16 09:13 |
芯片制作工藝流程 二
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1 常壓CVD (Normal Pressure CVD) >AWWwq -
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NPCVD為最簡單的CVD法，使用于各種領(lǐng)域中。其一般裝置是由(1)輸送反應(yīng)氣體至反應(yīng)爐的載氣體精密裝置；(2)使反應(yīng)氣體原料氣化的反應(yīng)氣體氣化室；(3)反應(yīng)爐；(4)反應(yīng)后的氣體回收裝置等所構(gòu)成。其中中心部分為反應(yīng)爐，爐的形式可分為四個種類，這些裝置中重點(diǎn)為如何將反應(yīng)氣體均勻送入，故需在反應(yīng)氣體的流動與基板位置上用心改進(jìn)。當(dāng)為水平時，則基板傾斜；當(dāng)為縱型時，著反應(yīng)氣體由中心吹出，且使基板夾具回轉(zhuǎn)。而汽缸型亦可同時收容多數(shù)基板且使夾具旋轉(zhuǎn)。為擴(kuò)散爐型時，在基板的上游加有混和氣體使成亂流的裝置。 L }R-|
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2 低壓CVD (Low Pressure CVD) sHQO*[[
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此方法是以常壓CVD 為基本，欲改善膜厚與相對阻抗值及生產(chǎn)所創(chuàng)出的方法。主要特征：(1)由于反應(yīng)室內(nèi)壓力減少至10-1000Pa而反應(yīng)氣體，載氣體的平均自由行程及擴(kuò)散常數(shù)變大，因此，基板上的膜厚及相對阻抗分布可大為改善。反應(yīng)氣體的消耗亦可減少；(2)反應(yīng)室成擴(kuò)散爐型，溫度控制最為簡便，且裝置亦被簡化，結(jié)果可大幅度改善其可靠性與處理能力(因低氣壓下，基板容易均勻加熱)，因基可大量裝荷而改善其生產(chǎn)性。 >^g\s]c[
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3 熱CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) 0Y 8Cz
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