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探針臺(tái) 2019-09-10 13:59

晶圓測(cè)試及芯片測(cè)試

一、需求目的：1、熱達(dá)標(biāo)；2、故障少 ,SH))%Cyt  
二、細(xì)化需求，怎么評(píng)估樣品：1、設(shè)計(jì)方面；2、測(cè)試方面 e%SQ~n=H 9  
三、具體到芯片設(shè)計(jì)有哪些需要關(guān)注： Z_Hc":4i  
1、頂層設(shè)計(jì) fC52nK&T8  
2、仿真 3 `$-  
3、熱設(shè)計(jì)及功耗 cd#@"&r  
4、資源利用、速率與工藝 Az{Z=:(0  
5、覆蓋率要求 YR^J7b\  
6、 ?x=;?7  
四、具體到測(cè)試有哪些需要關(guān)注： {IJ,y27  
1、可測(cè)試性設(shè)計(jì) K#kU6/  
2、常規(guī)測(cè)試：晶圓級(jí)、芯片級(jí) 8:TN,p  
3、可靠性測(cè)試 ^,qi` Tk  
4、故障與測(cè)試關(guān)系 N\BB8<F  
5、 :iP2e+j  
f9?\Q'v8  
測(cè)試有效性保證； { owK~  
設(shè)計(jì)保證？測(cè)試保證？篩選？可靠性？ GMyzQ]@}  
設(shè)計(jì)指標(biāo)？來(lái)源工藝水平，模塊水平，覆蓋率 +QGZ2_vW  
\x5b=~/   
晶圓測(cè)試：接觸測(cè)試、功耗測(cè)試、輸入漏電測(cè)試、輸出電平測(cè)試、全面的功能測(cè)試、全面的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、   模擬信號(hào)參數(shù)測(cè)試。 N*gnwrP{  
晶圓的工藝參數(shù)監(jiān)測(cè)dice， ' cR||VX  
芯片失效分析13488683602 tI