| 探針臺 |
2019-09-17 14:10 |
漏電定位微光顯微鏡(EMMI)
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對于半導(dǎo)體組件之故障分析而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)已被學(xué)理證實(shí)是一種相當(dāng)有用且效率極高的診斷工具。該設(shè)備具備高靈敏度的CCD，可偵測到組件中電子－電洞對再結(jié)合時(shí)所發(fā)射出來的光子，能偵測到的波長約在 350 nm ~ 1100 nm 左右。目前此設(shè)備全方面的應(yīng)用于偵測各種組件缺點(diǎn)所產(chǎn)生的漏電流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage 等。 '*gY45yT`
偵測的到亮點(diǎn)之情況： uU_lC5A|
會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺點(diǎn) - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。 6/e+=W2
原來就會(huì)有的亮點(diǎn) - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等
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