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探針臺 2020-01-09 11:21

半導(dǎo)體術(shù)語解釋 (三)

77) Evaporation 蒸鍍 w"-bO ~5h  
       將我們的蒸鍍源放在坩堝里加熱,當(dāng)溫度升高到接近蒸鍍源的熔點附近。這時,原本處于固態(tài)的蒸鍍源的蒸發(fā)能力將特別強(qiáng),利用這些被蒸發(fā)出來的蒸鍍源原子,我們在其上方不遠(yuǎn)處的芯片表面上,進(jìn)行薄膜沉積。我們將這種方法叫蒸鍍。 oCSf$g8q  
Ih`n:aA  
(H+'sf^h  
78) Exposure曝光 Lq LciD  
          其意表略同于照相機(jī)底片的感光 [_qBp:_j?s  
          在基集成電路的制造過程中,定義出精細(xì)的光阻圖形為其中重要的步驟,以運用最廣的5X Stepper為例,其方式為以對紫外線敏感的光阻膜作為類似照相機(jī)底片,光罩上則有我們所設(shè)計的各種圖形,以特殊波長的光線(G-LINE 436NM)照射光罩后,經(jīng)過縮小鏡片(Reduction Lens)光罩上的圖形則呈5倍縮小后,精確地定義在底片上(芯片上的光阻膜) Np|i Xwl1  
           經(jīng)過顯影后,即可將照到光(正光阻)的光阻顯掉,而得到我們想要的各種精細(xì)圖形,以作為蝕刻或離子植入用。 M.d{:&@`%  
因光阻對于某特定波長的光線特別敏感,故在黃光室中,找將一切照明用光源過濾成黃色,以避免泛白光源中含有對光阻有感光能力的波長成份在,這一點各相關(guān)人員應(yīng)特別注意,否則會發(fā)生光線污染現(xiàn)象,而擾亂精細(xì)的光阻圖形。 ^k^%w/fo  
79) Extraction Electrode 萃取電極 u!nt0hS  
D2>EG~xWq  
80) Fab 晶圓廠 RGLwtN  
        Fabrication"裝配""制造"之意,與Manufacture意思一樣。半導(dǎo)體制造程序,其步驟繁多,且制程復(fù)雜,需要有非常精密的設(shè)備和細(xì)心的作業(yè),才能達(dá)到無缺點的品質(zhì)。FABFabrication的縮寫,指的是"工廠"之意。我們常稱FAB"晶圓區(qū)",例如:進(jìn)去"FAB"之前須穿上防塵衣。 *D;B%j^;  
81) Faraday Cup 法拉第杯 SNff  
是離子植入機(jī)中在植入前用來測量離子束電流的裝置。 #B'WT{B$/~  
82) Field Oxide 場氧化層 J~<:yBup}  
      Field直譯的意思是。如運動場,足球場和武道場等的場都叫做Field。它的涵義就是一個有專門用途的區(qū)域。 ClVMZ  
     IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)中,有一區(qū)域是隔離電場的地方,通常介于兩個MOS晶體管之間,稱為場區(qū)。場區(qū)之上大部份會長一層厚的氧化層 KfWVz*DC!  
                 Um15@p;  
83) Filament 燈絲 V}9wx%v  
在離子植入機(jī)的離子源反應(yīng)室里用來產(chǎn)生電子以解離氣體用。通常采用鎢、鉭及鉬等高溫金屬。利用直流電的加熱,使燈絲表面釋放出所謂熱離化電子。 5yxZ 5Ni!  
84) Filtration過濾 N ~M:+ \  
        用過濾器(FILTER,為一半透明膜折迭而成)將液體或氣體中的雜質(zhì)給過濾掉,此稱為Filtration(過濾)故IC制造業(yè)對潔凈度的要求是非常的嚴(yán),故各種使用的液體或氣體(包括大氣)必須借著過濾以達(dá)到潔凈的要求。 Ko''G5+  
待過濾的液體及氣體能經(jīng)過過濾器且成功地將雜質(zhì)擋下,必須借著一個pump制造壓差來完成,如何選擇一組恰當(dāng)?shù)倪^濾器及PUMP是首要的課題。 X^9_'T9  
85) Fixed Oxide Charge 固定氧化層電荷 %DPtK)X1  
      位于離Si-SiO2接口30Å的氧化層內(nèi),通常為正電荷。與氧化條件、退火條件及硅表面方 [Bpgb57En  
向有關(guān)。 sTv/;*  
86) Foundry客戶委托加工 h{<^?=  
       客戶委托加工主要是接受客戶委托,生產(chǎn)客戶自有權(quán)利的產(chǎn)品,也就是客戶提供光罩,由聯(lián)華來生產(chǎn)制造,在將成品出售給客戶,只收取代工費用,這種純粹代工,不涉及銷售的方式在國際間較通常的稱呼就叫硅代工(Silicon Foundry)。 a%(1#2^`q!  
87) Four Point Probe四點測針 a+weBF#Z  
         是量測芯片片阻值(Sheet Resistance)Rs的儀器
S3qUzK  
+-ieaF  
       其原理如下: tk}qvW.Ii  
上圖ABCD四針,A、D間通以電流I,BC兩針量取電壓差(ΔV),則   z0g]nYN%  
  Rs = KΔV/ I ]X?+]9Fr  
   K是比例常數(shù),和機(jī)臺及針尖距離有關(guān) 0yAvAx  
88) FTIR傅氏轉(zhuǎn)換紅外線光譜分析儀 KD Qux  
FTIR乃利用紅外線光譜經(jīng)傅利葉轉(zhuǎn)換進(jìn)而分析雜質(zhì)濃度的光譜分析儀器。 X[Y!=e4z  
     己發(fā)展成熟,可 Routine應(yīng)用者,計有: A| Y\Y