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探針臺(tái) 2020-01-09 11:32

半導(dǎo)體術(shù)語(yǔ)解釋 （四）

116) Hot electron熱電子： *z.rOY= 8  
以加強(qiáng)型NMOS為例，當(dāng)MOS管的通道長(zhǎng)度變短，通道內(nèi)的橫向電場(chǎng)將增加，這使通道內(nèi)的電子因電場(chǎng)加速所獲得的能量上升，尤其是在通道與漏極相接的附近，電子的能量很高。 因?yàn)檫@些電子的能量比其它尚處在在熱平衡狀態(tài)的電子要高，所以稱(chēng)為熱電子。所以漏極附近的電子便有機(jī)會(huì)被這些熱電子撞擊而提升至導(dǎo)帶，而產(chǎn)生許多的電子-電洞。 SpYmgL?wJ  
117) Hot Electron Effect熱電子效應(yīng) i0zrXaKV  
       在VLSI的時(shí)代 ，Short Channel Device勢(shì)在必行，而目前一般 Circuit應(yīng)用上又未打算更改Supply Voltage；如此一來(lái)，Vg = Vds  = 5V情況下，將造成Impact Ionization（撞擊游離化）現(xiàn)象發(fā)生于Drain 鄰近區(qū)域。伴隨而生的Electron-Hole pairs(電子電洞對(duì))，絕大部份經(jīng)由Drain (Electrons) or Sub. (Holes)導(dǎo)流掉。 但基于統(tǒng)計(jì)觀點(diǎn)，總會(huì)有少部份Electrons（i. e. Hot-Electrons)所具Energy，足以克服Si-SiO2 的Barrier Height (能障)，而射入SiO2， 且深陷（Trap）其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入過(guò)程中打斷Si-H鍵結(jié)，而形成Interface Trap于Si-SiO2界面。不論遵循上述二者之任一，均將導(dǎo)致NMOS Performance的退化(Degradation)現(xiàn)象。 ia3!&rZ  
118) HPM（hydrochloric acid hydrogen peroxidemixture） XVJH>Zw  
HCl+H2O2+DI Water混合液體的簡(jiǎn)稱(chēng)，常用來(lái)去除移動(dòng)金屬離子。 M|zTs\1I  
119) HF o8v,17 8  
Hydrofluoric Acid 氫氟酸，常用來(lái)去除氧化層的清洗制程。 B9%%jEH*  
120) IC (Integrated Circuit )集成電路 uPjp5;V  
        集成電路是一九五八年由美國(guó)的德卅儀器公司所發(fā)明的。它是將一個(gè)完整的電子電路處理在一塊小小的硅芯片上，然后再以金屬聯(lián)機(jī)與外在引線相接，外加陶瓷或塑料包裝的裝置，由于它能將原本需要許多零件的電子電路集中縮小，因此被稱(chēng)為集成電路。它具備優(yōu)于傳統(tǒng)電子電路的三個(gè)特性：體積小、價(jià)廉、可靠。 Ob}XeN(L3  
  依照其集積化的程度可區(qū)分為小型(SSI)、中型(MSI)、大型(LSI)、超大型(VLSI)集成電路 +S`cUn7  
121) Implant離子植入 *M_^I)*L  
        離子注入：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目(劑量)決定 X$6QQnyR  
Ø 摻雜的均勻性好 (E,Ibz2G:e  
Ø 溫度低：小于600℃ H8=:LF  
Ø 可以精確控制雜質(zhì)分布