| 探針臺(tái) | 2020-01-09 11:42 | |
半導(dǎo)體術(shù)語(yǔ)解釋 （七）當(dāng)MOS組件愈小，信道的長(zhǎng)度將隨之縮短，電晶體的操作速度將加快，但是，MOS電晶體 的通道長(zhǎng)度并不能無(wú)限制縮減，當(dāng)長(zhǎng)度縮短到一定的程度之后，各種因通道長(zhǎng)度變小所衍生的問(wèn)題便會(huì)發(fā)生，這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)為“短通道效應(yīng)”。 202) Selectivity選擇性 兩種材抖，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻其兩蝕刻率的比值，謂之: 例如，復(fù)晶電漿蝕： 對(duì)復(fù)晶的蝕刻率為2OO0Å /min (分) 對(duì)氧化層的蝕刻率為20OÅ /min (分) 則復(fù)晶對(duì)氧化層的選擇性:S 20OO Å/min  S= ＝10 2OO Å/min 選擇性愈高表示蝕刻特性愈好，一般干式蝕刻選擇性較化學(xué)濕蝕刻為差，吾人取較高的選擇性的目的即在于電漿蝕刻專(zhuān)心蝕刻該蝕刻的氧化層，而不會(huì)傷害到上層光阻或下層氧化層，以確保蝕刻的完整性。 203) Silicide硅化物 一般稱(chēng)為硅化物 (Silicide)，指耐火金屬 (Refratory Metal)的硅化物，如鈦 (Ti)、鎢(W)、鉬 (Mo)等元素硅(Si)結(jié)合而成的化合物 (TiSi2、WSi2、MoSi2)。 硅化物應(yīng)用在組件的目的，主要為降低金屬與硅界面、閘極或晶體管串連的阻抗，以增加組件的性能。以鈦的硅化物為例，其制造流程如下所示：
204) Silicide金屬硅化物 "Silicide"通常指金屬硅化物，為金屬輿硅的化合物。在微電子工業(yè)硅晶集成電路中主要用為： (1) 導(dǎo)體接觸(Ohmic Contact) (2) 單向能阻接觸(Schottky Barrier Contact) (3) 低阻閘極(Gate Electrode) (4) 組件間通路(Interconnect) 在VLSI(超大型積逞電路)時(shí)代中，接面深度及界面接觸面積分別降至次微米及1-2平方毫米。以往廣泛應(yīng)用為金屬接觸的Al，由于嚴(yán)重的穿入半導(dǎo)靠問(wèn)題，在VLSI中不再適用。再加上其它技術(shù)及應(yīng)用上的需求，金屬硅化物在集成電路工業(yè)上日益受重視。 | ||