| 探針臺(tái) |
2020-02-06 12:22 |
實(shí)用技術(shù)電鏡SEM分析技術(shù)科普
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掃描電子顯微鏡SEM K[~Wj8W0
北軟檢測(cè)芯片分析 @
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掃描電子顯微鏡SEM分析原理：用電子技術(shù)檢測(cè)高能電子束與樣品作用時(shí)產(chǎn)生二次電子、背散射電子、吸收電子、X射線等并放大成象 0WF(Ga/o
譜圖的表示方法：背散射象、二次電子象、吸收電流象、元素的線分布和面分布等 +GP"9S2%R
提供的信息：斷口形貌、表面顯微結(jié)構(gòu)、薄膜內(nèi)部的顯微結(jié)構(gòu)、微區(qū)元素分析與定量元素分析等 >z>UtT:
掃描電子顯微鏡SEM應(yīng)用范圍： wS``Q8K+dM
1、材料表面形貌分析，微區(qū)形貌觀察 e&; c^Z
2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 z6Su`
3、各種薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 "*+epC|ks
SEM測(cè)試項(xiàng)目 S~(4q#Dt-
1、材料表面形貌分析，微區(qū)形貌觀察 hf:n!+,C
2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 *X niF~M
3、各種薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 _9!Ru!u~
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掃描電子顯微鏡樣品制備比透射電鏡樣品制備簡單，不需要包埋和切片。 Vq9hAD|k
樣品要求： ?z:xQ*#X
樣品必須是固體；滿足無毒，無放射性，無污染，無磁，無水，成分穩(wěn)定要求。 LaN4%[;X1-
制備原則： ry~3YYEMI0
表面受到污染的試樣，要在不破壞試樣表面結(jié)構(gòu)的前提下進(jìn)行適當(dāng)清洗，然后烘干； P2`ks[u+i
新斷開的斷口或斷面，一般不需要進(jìn)行處理，以免破壞斷口或表面的結(jié)構(gòu)狀態(tài)； hXz"}X n
要侵蝕的試樣表面或斷口應(yīng)清洗干凈并烘干； lz{>c.Ll[
磁性樣品預(yù)先去磁； MYN1 zYT6j
試樣大小要適合儀器專用樣品座尺寸。 @'C)ss
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