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探針臺(tái) 2020-02-10 14:53

失效分析前樣品需要做哪些準(zhǔn)備工作?

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失效分析樣品準(zhǔn)備: g#bRT*,L  
失效分析 趙工 半導(dǎo)體元器件失效分析可靠性測(cè)試 1月6日 7I}uZ/N  
失效分析樣品準(zhǔn)備: K0~rN.C!0  
失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié),無論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 4 KiY6)  
常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對(duì)外開放的資源,來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測(cè)試時(shí)需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢?下面為大家整理一下: K1KreYlF  
一、decap:寫清樣品尺寸,數(shù)量,封裝形式,材質(zhì),開封要求(若在pcb板上,最好提前拆下,pcb板子面較大有突起,會(huì)影響對(duì)芯片的保護(hù))后續(xù)試驗(yàn)。 }#fbbtd  
1.IC開封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等 b}`T Ln  
2.樣品減。ㄌ沾桑饘俪猓 4Z*/WsCv  
3.激光打標(biāo) %J(:ADu]  
4.芯片開封(正面/背面) **%37  
5.IC蝕刻,塑封體去除 0J9x9j`&j  
二、X-RAY:寫清樣品尺寸,數(shù)量,材質(zhì)(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),重點(diǎn)觀察區(qū)域,精度。 ^q5#ihM  
1.觀測(cè)DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 uRvP hkqm  
2.觀測(cè)器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 @ Y+oiB~Y  
3.觀測(cè)芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝 3og.y+.=U.  
缺陷,以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 pi(m7Ci"  
三、IV:寫清管腳數(shù)量,封裝形式,加電方式,電壓電流限制范圍。實(shí)驗(yàn)人員需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境,若樣品不適合就不用白跑一趟了。 K;?+8(H  
1.Open/Short Test >MZ/|`[M  
2.I/V Curve Analysis (PL UFT  
3.Idd Measuring y29m/i:  
4.Powered Leakage(漏電)Test KlEpzJ98  
四、EMMI:寫清樣品加電方式,電壓電流,是否是裸die,是否已經(jīng)開封,特殊要求等,EMMI是加電測(cè)試,可以連接各種源表,確認(rèn)加電要求,若實(shí)驗(yàn)室沒有適合的源表,可以自帶,避免做無用功。 i!Ba]n   
1.P-N接面漏電;P-N接面崩潰 z{ dEC %  
2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 L(-4w+  
3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) _a, s )  
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、 &oNAv-m^GD  
Hot Carriers Effect、ESD等問題 j 7B!h|  
五、FIB:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。切點(diǎn)觀察的,標(biāo)清切點(diǎn)要求。切線連線寫清方案,發(fā)定位文件。 5xiEPh  
Qs!5<)6  
1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證 Eci\a]  
2.Cross-Section截面分析 4g/dP^  
3.Probing Pad h[ ZN+M  
4.定點(diǎn)切割  " bG2:  
六、SEM:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。 T{ "(\X$  
1.材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察 t20K!}D_  
2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 / {%%"j  
3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 sW$XH1Uf#  
4.納米尺寸量測(cè)及標(biāo)示 f);FoVa6  
七、EDX:寫清樣品尺寸,材質(zhì),EDX是定性分析,能看到樣品的材質(zhì)和大概比例,適合金屬元素分析。 qs6aB0ln  
1.微區(qū)成分定性分析 ]:;&1h3'7  
八、Probe:寫清樣品測(cè)試環(huán)境要求,需要搭配什么源表,使用什么探針,一般有硬針和軟針,軟針較細(xì),不易對(duì)樣品造成二次損傷。 7)m9"InDI  
1.微小連接點(diǎn)信號(hào)引出 =1! 'QUc  
2.失效分析失效確認(rèn) 2%1hdA<  
3.FIB電路修改后電學(xué)特性確認(rèn) k)u[0}   
4.晶圓可靠性驗(yàn)證