| 探針臺 |
2020-02-13 14:24 |
芯片失效分析項目內(nèi)容詳解
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金相顯微鏡/體式顯微鏡：提供樣品的顯微圖像觀測，拍照和測量等服務，顯微倍率從10倍~1000倍不等，并有明場和暗場切換功能，可根據(jù)樣品實際情況和關(guān)注區(qū)域情況自由調(diào)節(jié) <O?UC/$)7
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RIE等離子反應刻蝕機：提供芯片的各向異性刻蝕功能，配備CF4輔助氣體，可以在保護樣品金屬結(jié)構(gòu)的前提下，快速刻蝕芯片表面封裝的鎢，鎢化鈦，二氧化硅，膠等材料，保護層結(jié)構(gòu)，以輔助其他設備后續(xù)實驗的進行 :vJ0Ypz-u
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自動研磨機：提供樣品的減薄，斷面研磨，拋光，定點去層服務，自動研磨設備相比手動研磨而言，效率更高，受力更精準，使用原廠配套夾具加工樣品無需進行注塑，方便后續(xù)其他實驗的進行 $]yHk
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高速切割機：部分芯片需要進行剖面分析，此時可使用制樣切割工具，先用樹脂將被測樣品包裹和固定，再使用可換刀頭的高速切割機切割樣品使用夾具固定待切割樣品，確定切割位置后進行切割，同時向切割刀片噴淋冷卻液。提供PCB或其他類似材料的切割服務，樣品樹脂注塑服務 kMLWF
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微漏電偵測系統(tǒng)（EMMI）：微光顯微鏡(Emission Microscope)，主要偵測芯片加電 =9JKg4I6
后內(nèi)部模塊失效所釋放出的光子，可被觀測的失效缺陷包括漏電結(jié)（Junction Leakage）、接觸毛刺（Contact Spiking）、熱電子效應（Hot Electrons）、閂鎖效應（Latch-Up）、多晶硅晶須（Poly-Silicon Filaments）、襯底損傷（Substrate Damage）、物理損傷（Mechanical Damage） ?N*|S)BN
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