1) Acetone 丙酮

丙酮是有機(jī)溶劑的一種，分子式為CH3COCH3

性質(zhì)：無(wú)色，具剌激性薄荷臭味的液體

用途：在FAB內(nèi)的用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻的清洗、擦拭

毒性：對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對(duì)皮膚粘膜具輕微毒性，長(zhǎng)期接觸會(huì)引起皮膚炎，吸入過(guò)量的丙酮蒸氣會(huì)刺激鼻、眼結(jié)膜、咽喉粘膜、甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識(shí)不明等。

允許濃度：1000ppm

2) Active Area 主動(dòng)區(qū)域

MOS核心區(qū)域，即源，汲，閘極區(qū)域

3) AEI蝕刻后檢查

（1） AEI 即After Etching Inspection，在蝕刻制程光阻去除前和光阻去除后，分別對(duì)產(chǎn)品實(shí)施主檢或抽樣檢查。

（2） AEI的目的有四：

          提高產(chǎn)品良率，避免不良品外流。

          達(dá)到品質(zhì)的一致性和制程的重復(fù)性。

          顯示制程能力的指標(biāo)。

          防止異常擴(kuò)大，節(jié)省成本

（3） 通常AEI檢查出來(lái)的不良品，非必要時(shí)很少做修改。因?yàn)槌�去氧化層或重長(zhǎng)氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點(diǎn)密度增加。生產(chǎn)成本增高，以及良率降低的缺點(diǎn)。

4） Al-Cu-Si 鋁硅銅

金屬濺鍍時(shí)所使用的原料名稱，通常是稱為Target，其成份為0.5%銅，1%硅及98.5%鋁，一般制程通常是使用99%鋁 1%硅．后來(lái)為了金屬電荷遷移現(xiàn)象(Electromigration) 故滲加0.5%銅降低金屬電荷遷移

5） Alkaline Ions 堿金屬雕子

如Na+，K+，破壞氧化層完整性，增加漏電密度，減小少子壽命，引起移動(dòng)電荷，影響器件穩(wěn)定性。其主要來(lái)源是：爐管的石英材料，制程氣體及光阻等不純物。

6） Alloy 合金

半導(dǎo)體制程在蝕刻出金屬連線后，必須加強(qiáng)Al與SiO2間inteRFace的緊密度，故進(jìn)行Alloy步驟，以450℃作用30min，增加Al與Si的緊密程度，防止Al層的剝落及減少歐姆接觸的電阻值，使RC的值盡量減少。

7） Aluminum 鋁

一種金屬元素，質(zhì)地堅(jiān)韌而輕，有延展性，容易導(dǎo)電。普遍用于半導(dǎo)體器件間的金屬連線，但因其易引起spike及Electromigration，故實(shí)際中會(huì)在其中加入適量的Cu或Si

8） Anneal 回火

又稱退火：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過(guò)程都可以稱為退火。

a) 激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運(yùn)動(dòng)到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用。

b) 消除損傷：離子植入后回火是為了修復(fù)因高能加速的離子直接打入芯片而產(chǎn)生的損毀區(qū)（進(jìn)入底材中的離子行進(jìn)中將硅原子撞離原來(lái)的晶格位置，致使晶體的特性改變）。而這種損毀區(qū)，經(jīng)過(guò)回火的熱處理后即可復(fù)原。這種熱處理的回火功能可利用其溫度、時(shí)間差異來(lái)控制全部或局部的活化植入離子的功能

c) 氧化制程中的回火主要是為了降低界面態(tài)電荷，降低SiO2的晶格結(jié)構(gòu)

退火方式：

Ø 爐退火

Ø 快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源(如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等)

9） Angstrom 埃(Å)

是一個(gè)長(zhǎng)度單位，1Å=10-10米,其大小為1公尺的佰億分之一，約人的頭發(fā)寬度的伍拾萬(wàn)分之一。此單位常用于IC制程上，表示膜層(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度時(shí)用

10） Argon 氬氣

11） Arc Chamber 弧光反應(yīng)室

弧光反應(yīng)室,事實(shí)上就是一個(gè)直流式的電漿產(chǎn)生器。因?yàn)樗�操作的電流－�?duì)－電壓的區(qū)域是在弧光電漿內(nèi)。

16） BB ：Bird's Beak 鳥(niǎo)嘴

在用Si3N4作為掩膜制作field oxide時(shí)，在Si3N4覆蓋區(qū)的邊緣，由于氧或水氣會(huì)透過(guò)Pad Oxide Layer擴(kuò)散至Si-Substrate表面而形成SiO2，因此Si3N4邊緣向內(nèi)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)鳥(niǎo)嘴狀的氧化層，即所謂的Bird's Beak。其大小與坡度可由改變Si3N4與Pad Oxide的厚度比及Field Oxidation的溫度與厚度來(lái)控制

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17） Boat 晶舟

Boat原意是單木舟。在半導(dǎo)體IC制造過(guò)程中，常需要用一種工具作芯片傳送及加工，這種承載芯片的工具，我們稱之為Boat。一般Boat有兩種材質(zhì)，一是石英（Quartz），另一碳化硅（SiC）。SiC Boat用在溫度較高(Drive in)及LPSiN的場(chǎng)合。

18） BOE(Buffer Oxide Etching)

B. O. E.是HF與NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蝕刻即表示HF: NH4F =l:6的成份混合而成。HF為主要的蝕刻液，NH4F則做為緩沖劑使用。利用NH4F固定[H']的濃度，使之保持一定的蝕刻率。  

HF會(huì)侵蝕玻璃及任何硅石的物質(zhì)，對(duì)皮膚有強(qiáng)烈的腐蝕性，不小心被濺到，應(yīng)用大量沖洗。

19） Boundary Layer 邊界層

假設(shè)流體在芯片表面流速為零，則流體在層流區(qū)及芯片表面將有一個(gè)流速梯度存在，稱為邊界層（Boundary Layer）

      

20） BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)

BPSG : 為硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2 , 加入B,P可以降低Flow 溫度，并且P吸附一些雜質(zhì)離子，流動(dòng)性比較好，作為ILD的平坦化介質(zhì)。

22） Buffer Layer 緩沖層

通常此層沉積于兩個(gè)熱膨脹系數(shù)相差較大的兩層之間,緩沖兩者因直接接觸而產(chǎn)生的應(yīng)力作用。我們制程最常見(jiàn)的緩沖層即SiO2，它用來(lái)緩沖SiN4與Si直接接觸產(chǎn)生的應(yīng)力，從而提升Si3N4對(duì)Si表面附著能力

23） C1 clean

Clean的一種制程，它包括DHF(稀釋HF)---APM(NH4OH-H2O2-H2O mixed)---HPM (HCl-H2O2-H2O mixed)

24)   Burn in預(yù)燒試驗(yàn)

「預(yù)燒」(Burn in)為可靠性測(cè)試的一種，旨在檢驗(yàn)出那些在使用初期即損壞的產(chǎn)品，而在出貨前予以剔除。  

預(yù)燒試驗(yàn)的作法，乃是將組件(產(chǎn)品)置于高溫的環(huán)境下，加上指定的正向或反向的直流電壓，如此殘留在晶粒上氧化層與金屬層的外來(lái)雜質(zhì)離子或腐蝕性離子將容易游離而使故障模式(Failure Mode)提早顯現(xiàn)出來(lái)，達(dá)到篩選、剔除「早期夭折」產(chǎn)品的目的。

  預(yù)燒試驗(yàn)分為「靜態(tài)預(yù)燒」(Static Burn in)與「動(dòng)態(tài)預(yù)燒」(Dynamic Burn in)兩種，前者在試驗(yàn)時(shí)，只在組件上加上額定的工作電壓及消耗額定的功率。而后者除此外并有仿真實(shí)際工作情況的訊號(hào)輸入，故較接近實(shí)際況，也較嚴(yán)格。

基本上，每一批產(chǎn)品在出貨前，皆須作百分之百的預(yù)燒試驗(yàn)，但由于成本及交貨期等因素，有些產(chǎn)品就只作抽樣 (部分)的預(yù)燒試驗(yàn)，通過(guò)后才貨。另外，對(duì)于一些我們認(rèn)為它品質(zhì)夠穩(wěn)定且夠水準(zhǔn)的產(chǎn)品，亦可以抽樣的方式進(jìn)行。當(dāng)然，具有高信賴度的產(chǎn)品，皆須通過(guò)百分之百的預(yù)燒試驗(yàn)

25) Carrier Gas 載氣

用以攜帶一定制程反應(yīng)物（液體或氣體）進(jìn)反應(yīng)室的氣體，例如用N2攜帶液態(tài)TEOS進(jìn)爐管，N2即可稱為載氣。

26)   Chamber真空室，反應(yīng)室

專指一密閉的空間，而有特殊的用途、諸如抽真空，氣體反應(yīng)或金屬濺鍍等。因此常需對(duì)此空間的種種外在或內(nèi)在環(huán)境加以控制；例如外在粒子數(shù)(particle)、濕度等及內(nèi)在溫度、壓力、氣逞流量、粒子數(shù)等達(dá)到最佳的反應(yīng)條件。

27) Channel 通道 ; 縫道

當(dāng)在MOS的閘極加上電壓（PMOS為負(fù)，NMOS為正）。則閘極下的電子或電洞會(huì)被其電場(chǎng)所吸引或排斥而使閘極下的區(qū)域形成一反轉(zhuǎn)層(Inversion layer)。也就是其下的半導(dǎo)體p-type變成N-type Si，N-type變成p-type Si，而與源極和汲極成同type ，故能導(dǎo)通汲極和源極。我們就稱此反轉(zhuǎn)層為"通道"。信道的長(zhǎng)度"Channel Length"對(duì)MOS組件的

   參數(shù)有著極重要的影響，故我們對(duì)POLY CD的控制需要非常謹(jǐn)慎

28) Channel Stop Implantation 通道阻絕植入

在集成電路中，各電晶體彼此間則以場(chǎng)氧化層（FOX）加以隔離的，因?yàn)閳?chǎng)氧化層上方常有金屬導(dǎo)線通過(guò)，為了防止金屬層，場(chǎng)氧化層，底材硅產(chǎn)生類似 NMOS 的電容效應(yīng)，場(chǎng)氧化層下方的區(qū)域常摻有摻質(zhì)濃度很高的P型層，以防止類似 NMOS 的反轉(zhuǎn)層在場(chǎng)氧化層下發(fā)生，而破壞電晶體間的隔離。這層P型層通常稱為“Channel Stop”,這層摻質(zhì)是以離子植入（Implantation）的方式完成的，所以稱為 通道阻絕植入。

29) Chemical Mechanical Polishing 化學(xué)機(jī)械研磨法

    隨著用以隔離之用的場(chǎng)氧化層（FOX）,CMOS電晶體，金屬層及介電層等構(gòu)成IC的各個(gè)結(jié)構(gòu)在芯片上建立之后，芯片的表面也將隨之變得上下凸凹不平坦，致使后續(xù)制程變得更加困難。而傳統(tǒng)半導(dǎo)體制程用以執(zhí)行芯片表面平坦化的技術(shù)，以介電層SiO2的平坦為例，計(jì)有高溫?zé)崃鞣ā⒏鞣N回蝕技術(shù)及旋涂式玻璃法。當(dāng)VLSI的制程推進(jìn)到0.35以下后，以上這些技術(shù)已不能滿足制程需求，故而也就產(chǎn)生了CMP制程。所謂CPM就是利用在表面布滿研磨顆粒的研磨墊（polishing pad），對(duì)凸凹不平的晶體表面，藉由化學(xué)助劑（reagent）的輔助，以化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械式研磨等雙重的加工動(dòng)作，來(lái)進(jìn)行其表面平坦化的處理。

30) Charge Trapping 電荷陷入

無(wú)特定分布位置，主要是因?yàn)镸OS操作時(shí)產(chǎn)生的電子或電洞被氧化層內(nèi)的雜質(zhì)或不飽和鍵所捕陷造成�？梢酝ㄟ^(guò)適當(dāng)?shù)幕鼗饋?lái)降低其濃度。

31)   Chemical Vapor Deposition 化學(xué)氣相沉積

      參與反應(yīng)的氣體從反應(yīng)器的主氣流里藉著反應(yīng)氣體在主氣流及芯片表面的濃度差，以擴(kuò)散的方式經(jīng)過(guò)邊界層傳遞到芯片的表面。反應(yīng)物在表面相會(huì)后藉著芯片表面提供的能量，沉積反應(yīng)發(fā)生。反應(yīng)完成后，反應(yīng)的副產(chǎn)物及未參與反應(yīng)的反應(yīng)氣體從芯片表面吸解并進(jìn)入邊界層，最后進(jìn)入主氣流并被抽氣裝置抽離

-} +[  

35) CDA（Compressed Dry Air ）壓縮干燥空氣

通常指壓力在60到110psi之間的空氣，作為控氣動(dòng)閥的領(lǐng)氣閥的氣體源。

36) Compressive Stress 擠壓應(yīng)力

37)   Compressor 壓縮機(jī)

將空氣壓縮形成高壓氣體的設(shè)備。

38)   Contaminant 污染物

39) Constant-Surface-Concentration DIFfusion恒定源:

通常雜質(zhì)在半導(dǎo)體高溫?cái)U(kuò)散有兩種方式:

Constant-Surface-Concentration Diffusion(恒定源擴(kuò)散):

The vapor source maintains a constant level of surface concentration during the entire Diffusion period (like POCl3 dope) 這個(gè)擴(kuò)散模式，是假設(shè)離子在界面上所具備的濃度，并不隨擴(kuò)散的進(jìn)行而改變。且一直為一個(gè)定值所建立。換句話說(shuō)，不管離子的擴(kuò)散持續(xù)多久，離子在界面上的濃度將維持在一個(gè)定值下。

Constant-Total-Dopant Diffusion(限定源擴(kuò)散):

A fixed amount of dopant is deposited into the semiconductor surface in thin layer ,and the dopant subsequently diffuse into the semiconductor (like ion implantation, drive in)

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40) Crack 龜裂  ( 或裂痕 )

41) CROSS Section橫截面

IC的制造，基本上是由一層一層的圖案堆積上去，而為了了解堆積圖案的結(jié)構(gòu)，以改善制程，或解決制程問(wèn)題，以電子顯微鏡(SEM)來(lái)觀察，而切割橫截面，觀察橫截面的方式，是其中較為普遍的一種。

42)   Cryogenic Pump 低溫泵

將一個(gè)表面溫度降到極低，甚至結(jié)近絕對(duì)零度時(shí)，與這個(gè)表面相接觸的氣體分子，將會(huì)產(chǎn)生相變化，而凝結(jié)在低溫表面上，稱為低溫凝結(jié)。還有一些氣體雖然不能凝結(jié)，但與低溫表面接觸后，將因?yàn)楸砻媾c分子間的凡得瓦力（Van der Waals Force）而吸附在低溫表面上，且活動(dòng)性大減，稱為低溫吸附，Cryogenic Pump 就是利用低溫凝結(jié)和低溫吸附的原理，將氣體分子從容器里排出，以達(dá)到降低容器壓力的目的。

Cryo pump原理:是利用吸附原理而工作： Cryo pump為高真空pump，應(yīng)該和低真空pump配合使用，工作前真空度應(yīng)該達(dá)到10-2mbar,否則無(wú)法工作。當(dāng)吸附氣體飽和后，要做regen,即將高溫N2通入使凝結(jié)的氣體釋放而排出pump。入口處擋片吸附水泡，里面的特殊氣體吸附（成液態(tài)狀）

不斷加電壓在 30℃時(shí)量取一條C—V曲線，然升溫至250℃再降到30℃時(shí)再量取一條C—V曲線，發(fā)現(xiàn)兩條C—V曲線并不會(huì)完全重合，只有當(dāng)C-V shift小于0.1V方符合標(biāo)準(zhǔn)。

46) DC Magnetron Sputter 磁控DC濺鍍機(jī)

為了使離子在往金屬靶表面移動(dòng)時(shí)獲得足夠的能量，除了提高極板間的電壓外，還必須使離子在陰極暗區(qū)內(nèi)所遭受的碰撞次數(shù)降低，就必須降低濺渡的壓力，越低越好，以增長(zhǎng)離子的平均自由徑。這樣一來(lái)，單位體積內(nèi)的氣體分子數(shù)降低，使得電漿里的離子濃度也降低，導(dǎo)致濺渡薄膜的沉積速率變慢。

47) DC Plasma 直流電漿

電漿是人類近代物化史上重大的發(fā)現(xiàn)之一，指的是一個(gè)遭受部分離子化的氣體，氣體里面的組成有各種帶電荷的電子，離子，及不帶電的分子和原子團(tuán)等。電漿產(chǎn)生器的兩金屬極板上加上直流電壓而產(chǎn)生的電漿我們稱為直流電漿。

48) DC Sputtering 直流濺鍍法

脫離電漿的帶正電荷離子，在暗區(qū)的電場(chǎng)的加速下，將獲得極高的能量，當(dāng)離子與陰電極產(chǎn)生轟擊之后，基于能量傳遞的原理，離子轟擊除了會(huì)產(chǎn)生二次電子以外，還會(huì)把電極表

面的原子給“打擊”出來(lái)，稱為sputtering. 電極板加直流電壓稱為DC Sputtering.

u 先決條件