151) Ohmic Contact 歐姆式接觸

歐姆接觸是指金屬與半導(dǎo)體的接觸，而其接觸面的電阻值遠小于半導(dǎo)體本身的電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在于活動區(qū)(Active region)而不在接觸面。

　      欲形成好的歐姆接觸，有二個先決條件：

（1）金屬與半導(dǎo)體間有低的界面能障(Barrier Height)

（2）半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)摻入(N ≧1012 cm-3)

前者可使界面電流中熱激發(fā)部分(Thermionic Emission)增加;后者則使界面空乏區(qū)變窄，電子有更多的機會直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。

        若半導(dǎo)體不是硅晶，而是其它能量間隙(Energy Cap)較大的半導(dǎo)體(如GaAs)，則較難形成歐姆接觸 (無適當(dāng)?shù)慕饘倏捎?，必須于半導(dǎo)體表面摻雜高濃度雜質(zhì)，形成Metal-n＋-n or Metal-p+-p等結(jié)構(gòu)。

152) OI(Operation Instruction)操作指南

它是我們在操作機臺,維護機臺等操作情況時的操作手冊,它規(guī)定了操作的先后順序。按照操作指南才會保證安全，保證工作的順利進行。

153) Oil pump

     1.  Oil pump結(jié)構(gòu):

            Oil temperature controller有很長的lIFetime

            Oil pump中oil的品質(zhì)對pump有很大影響，油品好，pump抽氣能力強，使用時間長

2.  Oil的作用：潤滑、降溫和密封。

154) ONO（Oxide Nitride Oxide氧化層-氮化層-氧化層）

　      半導(dǎo)體組件，常以O(shè)NO三層結(jié)構(gòu)做為介電質(zhì) (類似電容器)，以儲存電荷，使得數(shù)據(jù)得以在此處存取。

　       在此氧化層-氮化層-氧化層三層結(jié)構(gòu)，其中氧化層與基晶層的接合較氮化層好，而氮化層居中，則可阻擋缺陷 (如pinhole)的延展，故此三層結(jié)構(gòu)可互補所缺。

155) Oxygen氧氣

        無色，無氣味，無味道雙原子氣體。在-183℃液化成淺藍色的液體，在-218℃固化。在海平面上，空氣中約占20%體積的氧，溶于水和乙醇，不可燃，可以助燃。

         在電漿光阻去除中，O2主要用來去除光阻用。

         在電漿干蝕刻中，O2,混入CF4氣體中，可增加CF4氣體的蝕刻速度。

         目前O2氣主要用途在于電漿光阻去除。利用O2在電漿中產(chǎn)生氧的自由基(RADICAL)，與光阻中的有機物反應(yīng)產(chǎn)生CO2和H2O氣體蒸發(fā)，達到去除光阻的效果。

156) Outgassing 出氣

主要是指剩余的溶劑或水氣，來源于未經(jīng)完全固化的光阻、SOG或其他物質(zhì)。下圖是離子植入時因離子轟擊硅片表面的光阻而發(fā)生的出氣現(xiàn)象。

157) Oxidation 氧化

1）物質(zhì)原子失去電子的化學(xué)反應(yīng),也就是物質(zhì)與氧化合的過程。

2）脫氫,尤指在氧或其它氧化劑作用時脫氫

3）通過增加電負性的比例來改變一種化合物

半導(dǎo)體中熱氧化(Oxidation)：在爐管中通入O2(或H2O)與Si反應(yīng)形成二氧化硅(SiO2 )氧化層

熱氧化生長方式：干氧氧化 、水蒸氣氧化 、濕氧氧化 、氫氧合成氧化

158) Oxidation Furnace 氧化爐

氧化爐是芯片制造的基礎(chǔ)，其主要功用就是對硅片進行氧化制程，生成所需的二氧化硅層。

       擴散爐是集成電路生產(chǎn)工藝中用來對半導(dǎo)體進行摻雜，即在高溫條件下將摻雜材料擴散入硅片，從而改變和控制半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。

159) Oxide Trapped Charge 氧化層阻陷電荷

Qot,這類電荷沒有特定的分布位置，主要是因為芯片過程中的其它制程，如離子植入、電漿蝕刻以及物理氣相沉積所引起的電子及電洞，被氧化層內(nèi)的雜質(zhì)或未飽和鍵所撲捉而陷入所造成的。所以帶正電或負電則不一定。

160) P磷

自然界元素之一。由15個質(zhì)子及16個中子所組成。

離子植入的磷離子，是由氣體PH3，經(jīng)燈絲加熱分解得到的P+離子，借著Extraction抽出氣源室經(jīng)加速管加速后﹒布植在芯片上。

是一種N-type離子，用做磷植入，S/D植入

161) P Well  P井