| 探針臺(tái) |
2020-02-19 14:39 |
漏電測(cè)試微光顯微鏡(EMMI)
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漏電測(cè)試微光顯微鏡(EMMI) C \5"Kb
對(duì)于半導(dǎo)體組件之故障分析而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)已被學(xué)理證實(shí)是一種相當(dāng)有用且效率極高的診斷工具。該設(shè)備具備高靈敏度的CCD，可偵測(cè)到組件中電子－電洞對(duì)再結(jié)合時(shí)所發(fā)射出來(lái)的光子，能偵測(cè)到的波長(zhǎng)約在 350 nm ~ 1100 nm 左右。目前此設(shè)備全方面的應(yīng)用于偵測(cè)各種組件缺點(diǎn)所產(chǎn)生的漏電流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage 等。 Z'4oE
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偵測(cè)的到亮點(diǎn)之情況： }*M>gvPo
會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺點(diǎn) - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。原來(lái)就會(huì)有的亮點(diǎn) - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等。 ~{gV`nm=J
1、EMMI可廣泛應(yīng)用于偵測(cè)各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流，包括閘極氧化層缺陷(Gate oxide defects)、靜電放電破壞(ESD Failure)、閂鎖效應(yīng)(Latch Up)、漏電(Leakage)、接面漏電(Junction Leakage) 、順向偏壓(Forward Bias)及在飽和區(qū)域操作的晶體管，可藉由EMMI定位，找熱點(diǎn)(Hot Spot 或找亮點(diǎn))位置，進(jìn)而得知缺陷原因，幫助后續(xù)進(jìn)一步的失效分析。 xa|/P# q
2、砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測(cè)原理相同，都是用來(lái)偵測(cè)故障點(diǎn)定位，尋找亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測(cè)電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別在于InGaAs可偵測(cè)的波長(zhǎng)較長(zhǎng)，范圍約在900nm到1600nm之間，等同于紅外線的波長(zhǎng)區(qū) (EMMI則是在350nm-1100nm)。 tG( !d$^
3、激光束電阻異常偵測(cè)(Optical Beam Induced Resistance Change，以下簡(jiǎn)稱OBIRCH)，以雷射光在芯片表面(正面或背面) 進(jìn)行掃描，在芯片功能測(cè)試期間，OBIRCH 利用雷射掃瞄芯片內(nèi)部連接位置，并產(chǎn)生溫度梯度，藉此產(chǎn)生阻值變化，并經(jīng)由阻值變化的比對(duì)，定位出芯片Hot Spot(亮點(diǎn)、熱點(diǎn))缺陷位置。 ` @Tl7I\
4、Thermal EMMI是利用InSb材質(zhì)的偵測(cè)器，接收故障點(diǎn)通電后產(chǎn)生的熱輻射分布，藉此定位故障點(diǎn)(熱點(diǎn)、亮點(diǎn)Hot Spot)位置，同時(shí)利用故障點(diǎn)熱輻射傳導(dǎo)的時(shí)間差，即能預(yù)估芯片故障點(diǎn)的深度位置。 ;UDd4@3`S"
芯片失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹，能夠依據(jù)國(guó)際、國(guó)內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施檢測(cè)工作，開(kāi)展從底層芯片到實(shí)際產(chǎn)品，從物理到邏輯全面的檢測(cè)工作，提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點(diǎn)激光注入等安全檢測(cè)服務(wù)，同時(shí)可開(kāi)展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象，找出失效原因的失效分析檢測(cè)服務(wù)，主要包括點(diǎn)針工作站（Probe Station）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測(cè)系統(tǒng)（EMMI）、X-Ray檢測(cè)，缺陷切割觀察系統(tǒng)（FIB系統(tǒng)）等檢測(cè)試驗(yàn)。實(shí)現(xiàn)對(duì)智能產(chǎn)品質(zhì)量的評(píng)估及分析，為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。 ! 6: X]
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