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2020-03-16 22:11 |
ASML研發(fā)下一代EUV光刻機:分辨率提升70% 逼近1nm極限
在EUV光刻機方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機,去年出貨26臺,創(chuàng)造了新紀錄。據(jù)報道,ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機,預(yù)計在2022年開始出貨。根據(jù)ASML之前的報告,去年他們出貨了26臺EUV光刻機,預(yù)計2020年交付35臺EUV光刻機,2021年則會達到45臺到50臺的交付量,是2019年的兩倍左右。 3w>1R>7 e{5O>RO
[attachment=99019] 'h;qI& 目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C,兩者基本結(jié)構(gòu)相同,但NXE:3400C采用模塊化設(shè)計,維護更加便捷,平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時,支持7nm、5nm。 -+i7T^@| cjtcEW 此外,NXE:3400C的產(chǎn)能也從之前的125WPH(每小時處理晶圓數(shù))提升到了175WPH。 ;Tk/}Od!VN S@[NKY 不論NXE:3400B還是NXE:3400C,目前的EUV光刻機還是第一代,主要特點是物鏡系統(tǒng)的NA(數(shù)值孔徑)為0.33。 E3{kH
7_'\ A|PZ<WAY ASML最近紕漏他們還在研發(fā)新一代EUV光刻機EXE:5000系列,NA指標(biāo)達到了0.55,主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時微電子中心。 w_"-rGV v6wg,,T 與之前的光刻機相比,新一代光刻機意味著分辨率提升了70%左右,可以進一步提升光刻機的精度,畢竟ASML之前的目標(biāo)是瞄準(zhǔn)了2nm甚至極限的1nm工藝的。 n4B
uM R t%,:L.?J# 不過新一代EUV光刻機還有點早,至少到2022年才能出貨,大規(guī)模出貨要到2024年甚至2025年,屆時臺積電、三星等公司確實要考慮3nm以下的制程工藝了。
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