| 探針臺 |
2020-03-23 13:51 |
失效分析漏電定位技術
EMMI（微光顯微鏡） XnwVK
對于失效分析而言，微光顯微鏡是一種相當有用，且效率極高的分析工具，主要偵測IC內部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination會放出光子，例如：在PN Junction加偏壓，此時N的電子很容易擴散到P， 而P的空穴也容易擴散至N，然后與P端的空穴做EHP Recombination。 Ao )\/AR'
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偵測到亮點之情況 -l Y,lC>{
會產生亮點的缺陷：1.漏電結；2.解除毛刺；3.熱電子效應；4閂鎖效應； 5氧化層漏電；6多晶硅須；7襯底損失；8.物理損傷等。 偵測不到亮點之情況 不會出現亮點之故障：1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯短路；4.表面 反型層；5.硅導電通路等。 70GwTK.{~
點被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情 況可采用Backside模式，但是只能探測近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及 拋光處理。 %jE0Z4\
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測試范圍： sck.2 -f"
故障點定位、尋找近紅外波段發(fā)光點 A'tv[T d8,
測試內容： .9u0WP95
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