| 探針臺 |
2020-03-27 14:49 |
2020年集成電路的發(fā)展趨勢
據(jù)了解，2019年由于受世界經(jīng)濟發(fā)展的增速減緩、整機廠商的去庫存化等綜合因素的干擾，全球半導體產(chǎn)業(yè)普遍處于下滑態(tài)勢。 0Z.X;1=
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作為半導體產(chǎn)業(yè)里的關鍵產(chǎn)品之一，集成電路領域的發(fā)展趨勢備受關注。 MD4RSl<F
集成電路(integratedcircuit)是一種微型電子器件或部件�？s寫為IC；采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構;是使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面發(fā)展的核心因素之一。 6E^h#Ozl
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根據(jù)Gartner報告顯示，2019年全球半導體收入總計4,183億美元，相比2018年下滑了11.9%。從國內情況來看，受到全球半導體市場下滑影響，我國集成電路產(chǎn)業(yè)2019年增速也出現(xiàn)顯著下降，根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年1-9月，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額5,049.9億元，同比增長13.2%，增速同比下降了9.2個百分點。 ydZS^BqG
據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)庫顯示，2020年1-2月中國集成電路出口量有所增長，2020年1-2月中國集成電路出口量為327.2億個，同比增長13.6%。 M~?2g.o'D
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巨頭企業(yè)跨界半導體領域 &UFj
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2020年，深圳寶安灣騰訊云計算有限公司正式成立，注冊資本為2000萬元，由騰訊云的運營主體騰訊云計算(北京)有限責任公司全資控股，法定代表人為騰訊云副總裁王景田。 s ahXPl%;U
值得注意的是，天眼查數(shù)據(jù)顯示，該公司的經(jīng)營范圍除了計算機技術服務和信息服務;大數(shù)據(jù)處理技術的研究、開發(fā);以及應用軟件開發(fā)外，還包括集成電路設計、研發(fā)等。 >D\jyd$wh&
事實上，當前各企業(yè)跨界進入半導體領域已經(jīng)屢見不鮮，例如康佳、格力等知名家電企業(yè);小米、華為等智能手機廠商;而在BAT領域，百度、阿里也是都在跨界造“芯”企業(yè)中的大將。 B[$L)y'-;
集成電路產(chǎn)業(yè)鏈成各城市的“經(jīng)濟武 器” @cS(Bb!(M
2020年2月底，在安徽省合肥市重大產(chǎn)業(yè)項目集中(云)簽約儀式上，總投資50億元、年產(chǎn)360萬片的協(xié)鑫集成再生晶圓項目，正式落戶肥東機器人產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)。據(jù)悉這一填補國內自主再生晶圓量產(chǎn)空白項目的進駐，將帶動肥東乃至安徽產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)集聚發(fā)展，助推肥東打造成國內大規(guī)模的再生晶圓生產(chǎn)基地。 -: V0pb
3月12日，總投資130億元的8個環(huán)電子科大集成電路重點項目在四川成都高新區(qū)集中開工，IC設計產(chǎn)業(yè)總部基地啟動建設，據(jù)官方表示，該項目總投資約13.14億元，計劃于2022年12月完工，將以構建IC設計產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈為戰(zhàn)略，聚焦5G、微波、物聯(lián)網(wǎng)、功率半導體、MEMS、IP、人工智能等特色領域，將聯(lián)動電子科大，協(xié)同周邊封測、制造等配套產(chǎn)業(yè)，構建中國西部“創(chuàng)芯谷”，成為IC產(chǎn)業(yè)“示范區(qū)”。 >h
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3月18日，海芯中國區(qū)總部及集成電路研發(fā)生產(chǎn)基地項目在廣州南沙開工。該項目預計建成完成后，將生產(chǎn)功率器件、MOSFET、IGBT、數(shù)�；旌稀⑽C電、單片機等產(chǎn)品，達產(chǎn)年將形成年產(chǎn)8英寸芯片42萬片，12英寸芯片8萬片的生產(chǎn)能力。 *3!#W|#=]N
千家總結：可見，在物聯(lián)網(wǎng)信息技術時代，擁有集成電路完整產(chǎn)業(yè)供應鏈以及具有特色的核心技術，將是未來各省市地區(qū)發(fā)展經(jīng)濟和提升競爭力的關鍵點。 'kBq@>
第三代半導體漸成市場焦點廠商緊抱SiC這塊“蛋糕” TOH+JL8L
最近，第三代寬禁帶半導體的碳化硅SiC被提及的比較多，各大廠家(像Infineon、Cree、Rohm等)也都在積極進行碳化硅產(chǎn)品的布局。 BJDSk#!J!{
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功率半導體器件最為功率變換系統(tǒng)的核心器件，適用于高壓低損耗的第三代寬禁帶半導體的 SiC 器件未來可期。 F97HFt6{
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隨著5G、電動車等新應用興起，第三代化合物半導體材料逐漸成為市場焦點，看好碳化硅(SiC)等功率半導體元件，在相關市場的優(yōu)勢與成長性，許多IDM、硅晶圓與晶圓代工廠，均爭相擴大布局；即便近來市場遭遇疫情不確定因素襲擊，業(yè)者仍積極投入，盼能搶在爆發(fā)性商機來臨前，先站穩(wěn)腳步。 mS9ITe
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目前全球95%以上的半導體元件，都是以第一代半導體材料硅作為基礎功能材料，主要應用在資訊與微電子產(chǎn)業(yè)，不過，隨著電動車、5G等新應用興起，推升高頻率、高功率元件需求成長，矽基半導體受限硅材料的物理性質，在性能上有不易突破的瓶頸，也讓廠商開始爭相投入化合物半導體領域。 #xoF cjRE
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第三代半導體材料包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬頻化合物半導體材料，其中，碳化硅具備低導通電阻、高切換頻率、耐高溫與耐高壓等優(yōu)勢，可應用于 1200 伏特以上的高壓環(huán)境。 Lz/{
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相較于氮化鎵，碳化硅更耐高溫、耐高壓，較適合應用于嚴苛的環(huán)境，應用層面廣泛，如風電、鐵路等大型交通工具，及太陽能逆變器、不斷電系統(tǒng)、智慧電網(wǎng)、電源供應器等高功率應用領域。 ,]L
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