| 探針臺(tái) |
2020-04-10 15:10 |
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)
目前全球的功率半導(dǎo)體器件主要由歐洲、美國(guó)、日本三個(gè)國(guó)家和地區(qū)提供，他們憑借先進(jìn)的技術(shù)和生產(chǎn)制造工藝，以及領(lǐng)先的品質(zhì)管理體系，大約占據(jù)了全球70％的市場(chǎng)份額。 iuY ,E
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而在需求端，全球約有39％的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)能被中國(guó)大陸所消耗，是全球最大的需求大國(guó)，但其自給率卻僅有10％，嚴(yán)重依賴進(jìn)口。 d|RUxNjM-J
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功率半導(dǎo)體可以分為三大類，一類是功率集成電路，也就是IC類的功率器件；第二類是功率模組，第三大類是功率分立器件。功率分立器件二極管、三極管，MOSFET,IGBT等。 K-k!':K:
功率半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景有工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)，汽車應(yīng)用市場(chǎng)，消費(fèi)類電子應(yīng)用和無(wú)線通訊應(yīng)用。其中工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)占比最大。 G%bv< _R
三代半導(dǎo)體材料將長(zhǎng)期共存。第一代半導(dǎo)體：以硅（Si）和鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體為代表；第二代半導(dǎo)體：以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（lnP）等化合物半導(dǎo)體為代表；第三代半導(dǎo)體：以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導(dǎo)體為代表。第三代半導(dǎo)體材料具有高光效、高功率、高電壓、高頻率的特性。 Vt}QP Nt
在中小功率領(lǐng)域（電壓 900V 以下），功率 MOSFET及超節(jié)MOSFET 應(yīng)用最為廣泛。在中大功率領(lǐng)域（電壓 1200V-6500V），IGBT 是主流產(chǎn)品，這也是汽車所適用的主流功率器件。在超大功率領(lǐng)域（電壓 3.3kV 以上、容量 1-45MW），晶閘管和集成門極換流晶閘管 （IGCT）市場(chǎng)廣闊。 GoybkwFjZ
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近幾年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模一直穩(wěn)定在 150-200 億美元的水平，占到全球 半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模 5%左右的比例。絕大多數(shù)市場(chǎng)被國(guó)外廠商壟斷，包括英飛凌， TI， NXP，日本瑞薩等，中國(guó)產(chǎn)品還有很大的替代空間，前十名廠商占 有 57%的市場(chǎng)份額。相對(duì)于集成電路行業(yè)， 分立器件市場(chǎng)集中度更低， 商業(yè) 生態(tài)壁壘不高。 h-ii-c?R@0
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功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中，占比最大的企業(yè)是 infineon，19%；按照產(chǎn)品種類來(lái)劃分， 最重要的產(chǎn)品是 mosfet 和 IGBT。其他產(chǎn)品，BJT，晶閘管以及二極管等市場(chǎng) 非常分散且價(jià)值量較低。根據(jù) IHS 資料，2016 年 MOSFET 占晶體管總市場(chǎng)的 55％，其次是 IGBT 和 BJT 的 30％和 15％的份額。 pL{oVk#,
從最主要的 IGBT 和 MOSFET 市場(chǎng)來(lái)看，Infineon 均為市占率位居全球第一的位置。其他公司，包括三菱電機(jī)，富士電機(jī)，Renesas 和 ST 也占據(jù)了較高的市場(chǎng)份額。不同于二極管市場(chǎng)和晶體管市場(chǎng)的高度分散化， IGBT 和 MOSFET 市場(chǎng)由于其技術(shù)門檻更高，具備更高的市場(chǎng)集中度。 $XQgat@&]
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中國(guó)國(guó)內(nèi)的IGBT市場(chǎng)約占全球總需求的50%。但目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額主要被國(guó)際巨頭壟斷，國(guó)產(chǎn)化率只有11%。嘉興斯達(dá)為國(guó)內(nèi)IGBT龍頭企業(yè)，其產(chǎn)品也有汽車級(jí)。目前大陸以揚(yáng)杰科技、華微電子、士蘭微、捷捷微為代表的功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)市場(chǎng)占有率非常低，進(jìn)口替代的空間巨大。國(guó)內(nèi)具備一定市場(chǎng)地位的專業(yè)車用半導(dǎo)體廠商，比亞迪，江蘇宏微相對(duì)突出。問(wèn)答環(huán)節(jié)問(wèn)題1：如何看待大陸公司通過(guò)收購(gòu)安世來(lái)進(jìn)軍功率半導(dǎo)體領(lǐng)域？未來(lái)是否能夠追趕上英飛凌等龍頭企業(yè)？ o^2MfFS
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