| 探針臺(tái) |
2020-04-24 15:38 |
芯片失效分析常見方式
1、X-Ray 無損偵測(cè)，可用于檢測(cè) 6:; >id${
IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性 uHmvHA~/c8
PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接 W| zPV`
開路、短路或不正常連接的缺陷 $%31Gk[I
封裝中的錫球完整性 rMjb,2*rC7
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2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡 Oi^cs=}
可對(duì)IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行非破壞性檢測(cè), 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕ Pn.Deo Hme
晶元面脫層 $$o(
錫球、晶元或填膠中的裂縫 Ck %if
封裝材料內(nèi)部的氣孔 oyk&]'>
各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞 vV 9vB3K5?
3、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀 m2l9([u=^
可用于材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測(cè)量元器件尺寸 =23@"ji@D
4、三種常用漏電流路徑分析手段：EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測(cè)試/LC 液晶熱點(diǎn)偵測(cè) 4 J(-~
EMMI微光顯微鏡用于偵測(cè)ESD,Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的異常。 uCuB>x&
OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析.利用OBIRCH方法，可以有效地對(duì)電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等；也能有效的檢測(cè)短路或漏電,是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補(bǔ)充。 LdNpb;*
LC可偵測(cè)因ESD,EOS應(yīng)力破壞導(dǎo)致芯片失效的具體位置。 W+"^!
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