| 探針臺 |
2020-05-11 14:28 |
晶圓處理制程介紹
《晶圓處理制程介紹》 I Y2)?"A
基本晶圓處理步驟通常是晶圓先經過適當的清洗（Cleaning）之后，送到熱爐管（Furnace）內，在含氧 的環(huán)境中，以加熱氧化（Oxidation）的方式在晶圓的表面形成一層厚約數百個的二氧化硅（SiO2）層，緊接著厚約1000A到2000A的氮化硅（Si3N4）層將以化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈積（Deposition）在剛剛長成的二氧化硅上，然后整個晶圓將進行微影（Lithography）的制程，先在晶圓 上上一層光阻（Photoresist），再將光罩上的圖案移轉到光阻上面。接著利用蝕刻（Etching）技術，將部份未 被光阻保護的氮化硅層加以除去，留下的就是所需要的線路圖部份。接著以磷為離子源（Ion Source），對整片晶圓進行磷原子的植入（Ion Implantation），然后再把光阻劑去除（Photoresist Scrip）。制程進行至此，我們已將構成集成電路所需的晶體管及部份的字符線（Word Lines），依光罩所提供的設計圖案 ，依次的在晶圓上建立完成，接著進行金屬化制程（Metallization），制作金屬導線，以便將各個晶體管與組件加以連接，而在每一道步驟加工完后都必須進 行一些電性、或是物理特性量測，以檢驗加工結果是否在規(guī)格內（Inspection and Measurement）；如此重復步驟制作第一層、第二層．．．的電路部份，以 在硅晶圓上制造晶體管等其它電子組件；最后所加工完成的產品會被送到電性測試區(qū)作電性量測。 } E0,z
根據上述制程之需要，FAB廠內通常可分為四大區(qū)： {6"Ph(I1
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