| 探針臺 |
2020-05-13 16:48 |
芯片分析方法總結(jié)
芯片分析方法總結(jié)1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 3E3U /K
2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein @ "a6fn
微焦點Xray用途：半導(dǎo)體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)：標準檢測分辨率＜500納米 ；幾何放大倍數(shù): 2000 倍 最大放大倍數(shù): 10000倍 ； 輻射小: 每小時低于1 μSv ；電壓: 160 KV, 開放式射線管設(shè)計 N`iwC!
防碰撞設(shè)計；BGA和SMT（QFP）自動分析軟件，空隙計算軟件，通用缺陷自動識別軟件和視頻記錄。這些特點非常適合進行各種二維檢測和三維微焦點計算機斷層掃描(μCT)應(yīng)用。 :x.7vZzxs
Fein微焦點X射線（德國） zgx&Pte
Y.COUGAR F/A系列可選配樣品旋轉(zhuǎn)360度和傾斜60度裝置。 \B F*m"lz
Y.COUGAR SMT 系列配置140度傾斜軸樣品，選配360度旋轉(zhuǎn)臺 w(ln5q
3 、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測量元器件尺寸）, 日本電子 *IgE)N >
4 、EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測(這三者屬于常用漏電流路徑分析手段,尋找發(fā)熱點，LC要借助探針臺，示波器） **9x ?s
5 、FIB 線路修改，切線連線，切點觀測，TEM制樣，精密厚度測量等 :NJ_n6E
6 、Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試，ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試（有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進行這兩項可靠度測試，有些客戶是失效發(fā)生后才想到要篩取良片送驗）這些已經(jīng)提到了多數(shù)常用手段。失效分析前還有一些必要的樣品處理過程。 :B3[:MpL}
7 、取die,decap（開封，開帽）,研磨,去金球 De-gold bump,去層,染色等，有些也需要相應(yīng)的儀器機臺，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray觀察封裝內(nèi)部情況以及分層失效。 )?+$x[f!*
除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段，原子力顯微鏡AFM ,二次離子質(zhì)譜 SIMS,飛行時間質(zhì)譜TOF － SIMS ,透射電鏡TEM , 場發(fā)射電鏡,場發(fā)射掃描俄歇探針, X 光電子能譜XPS ,L-I-V測試系統(tǒng)，能量損失 X 光微區(qū)分析系統(tǒng)等很多手段，不過這些項目不是很常用。 Jk@]tA woM
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