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2020-06-09 15:52 |
研究人員將數(shù)萬個人工大腦突觸放在一塊芯片上
據(jù)外媒Neowin報道,來自麻省理工學院(MIT)的研究人員展示了一種新穎的電子裝置的記憶電阻器(Memristor)設(shè)計,它可以模仿大腦的神經(jīng)架構(gòu)來處理信息。從本質(zhì)上講,麻省理工學院的“芯片上的大腦”比一張紙屑還小,但卻容納了數(shù)以萬計的硅基元件(稱為憶阻元件),這些元件可以模仿人腦中的信息傳輸突觸。這種“芯片上的大腦”是神經(jīng)形態(tài)設(shè)備大家族的一部分,它從大腦的神經(jīng)突觸中獲得靈感,以執(zhí)行復雜的計算任務(wù)。 0+)1KU)I E(z|LS*3
[attachment=101203] oA:`=f%\ 現(xiàn)有的記憶電阻器設(shè)計在電壓刺激大量離子從一個電極流向另一個電極--一個大的傳導通道的情況下工作良好。但這些設(shè)計在較薄的傳導通道中缺乏可靠性。來自麻省理工學院的團隊在工作中解決了這一特殊領(lǐng)域的問題。為了開發(fā)這種新穎的設(shè)計,他們從冶金學中借用了一個關(guān)鍵概念,基本上是指合金與其組成金屬相比具有不同的物理特性。 EP90E^v^ :T>OJ"p 受此啟發(fā),研究人員將銀與銅結(jié)合在一起,制成膜電阻的正電極,并使用硅制成其負電極。這種巧妙的設(shè)計選擇使得離子能夠沿著薄的傳導通道進行一致而可靠的傳輸。 L^PBcfg >6W
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