新金屬芯片能提高存儲(chǔ)速度百倍
近日，據(jù)英國《自然·物理學(xué)》雜志發(fā)表的一項(xiàng)研究，一個(gè)美國聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)利用層狀二碲化鎢制成了二維（2D）金屬芯片，其厚度僅三個(gè)原子！在更節(jié)能的同時(shí)，儲(chǔ)存速度提高了100倍之多，為開發(fā)下一代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)材料奠定了基礎(chǔ)。 @LLTB(@wR
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當(dāng)今世界所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)比以往任何時(shí)候都多，然而我們當(dāng)前的存儲(chǔ)系統(tǒng)已接近大小和密度的極限，因此迫切需要相關(guān)技術(shù)革命�？茖W(xué)家正在研究數(shù)據(jù)的其他保存形式，包括存儲(chǔ)在激光蝕刻的載玻片、冰冷分子、單個(gè)氫原子、全息膠片甚至DNA上。 4 }KU>9YRA
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在這次的新研究中，美國斯坦福大學(xué)、加州大學(xué)伯克利分校和德克薩斯A＆M大學(xué)的研究人員嘗試了另一種方法，他們研發(fā)的新系統(tǒng)由二碲化鎢金屬組成，排列成一堆超薄層，每層僅有3個(gè)原子厚。其可代替硅芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，且比硅芯片更密集、更小、更快，也更節(jié)能。 nv 5u%B^
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研究人員將數(shù)據(jù)編碼到二維材料 S
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