上海光機所提出一種基于CMA-ES與新型光源表征方法的SMO技術(shù)
近日，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所信息光學(xué)與光電技術(shù)實驗室在計算光刻技術(shù)研究方面取得進(jìn)展，提出了一種基于協(xié)方差矩陣自適應(yīng)進(jìn)化策略（Covariance matrix adaptation evolution strategy, CMA-ES）與新型光源表征方法的光源掩模優(yōu)化技術(shù)（Source mask optimization, SMO）。仿真結(jié)果表明該技術(shù)的優(yōu)化性能與收斂效率優(yōu)于國際同類技術(shù)。相關(guān)研究成果已發(fā)表在Optics Express。 8Jf.ECQT
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光刻是極大規(guī)模集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一，光刻分辨率決定了集成電路的特征尺寸。隨著集成電路圖形的特征尺寸不斷減小，光刻系統(tǒng)的衍射受限屬性導(dǎo)致明顯的光學(xué)鄰近效應(yīng)，降低了光刻成像質(zhì)量。在光刻機軟硬件不變的情況下，采用數(shù)學(xué)模型和軟件算法對照明模式、掩模圖形與工藝參數(shù)等進(jìn)行優(yōu)化，可有效提高光刻分辨率/增大工藝窗口，此類技術(shù)即計算光刻技術(shù)（Computational Lithography），被認(rèn)為是二十一世紀(jì)推動集成電路芯片按照摩爾定律繼續(xù)發(fā)展的新動力。 De7T s
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SMO通過同時優(yōu)化照明光源和掩模圖形提高成像質(zhì)量，是實現(xiàn)28nm及以下技術(shù)節(jié)點集成電路制造的關(guān)鍵計算光刻技術(shù)之一。中國科學(xué)院上海光機所研究團隊提出了一種基于CMA-ES與新型光源表征方法的SMO技術(shù)。利用CMA-ES優(yōu)化光源和掩模，采用秩1更新和秩μ更新自適應(yīng)調(diào)整表征解向量搜索空間分布的協(xié)方差矩陣，使得較優(yōu)解向量具有更大的概率在后代中再次產(chǎn)生，并通過控制全局搜索步長調(diào)整解向量搜索空間的范圍。用一組預(yù)設(shè)數(shù)目的位置可調(diào)的單位強度理想光源點表征光源，通過優(yōu)化這些光源點的位置實現(xiàn)光源優(yōu)化。利用不同光源表征方式和多種掩模圖形進(jìn)行驗證，仿真結(jié)果表明該SMO技術(shù)的優(yōu)化性能與收斂效率優(yōu)于國際上常見的基于啟發(fā)式算法的SMO技術(shù)。 O[tvR:Nh
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相關(guān)研究得到了國家02科技重大專項和上海市自然科學(xué)基金項目的支持。 :w}{$v}#D;
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原文鏈接：https://www.osapublishing.org/oe/fulltext.cfm?uri=oe-28-22-33371&id=441841
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