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2020-11-24 15:48 |
工程師創(chuàng)造世界最小的原子存儲(chǔ)單元 用單個(gè)原子的運(yùn)動(dòng)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
據(jù)外媒New Atlas報(bào)道，得克薩斯大學(xué)的工程師們創(chuàng)造了有史以來(lái)最小的記憶存儲(chǔ)設(shè)備之一，由一種二維材料制成，橫截面面積只有一平方納米。這種被稱為 “原子電阻”的裝置是通過(guò)單個(gè)原子的運(yùn)動(dòng)來(lái)工作的，這將為具有難以置信的信息密度的更小的記憶系統(tǒng)鋪平道路。 1 Y@ 6oT
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這種新設(shè)備屬于一類新興的電子器件，稱為記憶電阻(Memristors)，它使用電阻開(kāi)關(guān)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。從本質(zhì)上講，當(dāng)某種材料暴露在一定的電壓下時(shí)，其電阻可以切換，變得更強(qiáng)或更弱。這種現(xiàn)象可用于將數(shù)據(jù)寫(xiě)入設(shè)備，隨后可測(cè)量其相對(duì)電阻以“讀取”存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。 !6|Kpy8
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在這種情況下，這種電阻開(kāi)關(guān)是通過(guò)單原子移入和移出納米級(jí)孔來(lái)處理的，這將改變材料的導(dǎo)電性。有關(guān)材料是二硫化鉬，盡管該團(tuán)隊(duì)表示，這一概念也應(yīng)該適用于一系列類似的材料。 *gHOH!K,S
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“縮放的科學(xué)圣杯是下降到一個(gè)原子控制記憶功能的水平，這就是我們?cè)谛卵芯恐型瓿傻�，”該研究的相�?yīng)作者Deji Akinwande說(shuō)。 aM uc]Wy#
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該團(tuán)隊(duì)表示，新裝置是有史以來(lái)最小的原子存儲(chǔ)器單元。二硫化鉬被制作成尺寸為1×1納米的薄片，厚度只有一個(gè)原子。如果要擴(kuò)大規(guī)模，它可以用來(lái)制造每平方厘米約25TB的存儲(chǔ)容量的芯片，這比目前的閃存所能提供的容量高100倍左右。它運(yùn)行所需的能量也更少。 8^p/?R^bu
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“這項(xiàng)工作取得的成果為開(kāi)發(fā)未來(lái)一代應(yīng)用鋪平了道路......如超密集存儲(chǔ)、神經(jīng)形態(tài)計(jì)算系統(tǒng)、射頻通信系統(tǒng)等。”美國(guó)陸軍研究辦公室項(xiàng)目經(jīng)理Pani Varanasi說(shuō)。 u% a2"G|
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該研究成果發(fā)表在《自然-納米技術(shù)》雜志上。 )
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