| cyqdesign |
2020-11-30 22:43 |
ASML已完成設(shè)計制造1nm芯片的EUV光刻機
本月中旬，在日本東京舉辦了ITF論壇。論壇上，與ASML（阿斯麥）合作研發(fā)光刻機的比利時半導體研究機構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術(shù)細節(jié)。至少就目前而言，ASML對于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規(guī)劃，且1nm時代的光刻機體積將增大不少。 Q\|18wkW
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據(jù)稱在當前臺積電、三星的7nm、5nm制造中已經(jīng)引入了NA=0.33的EUV曝光設(shè)備，2nm之后需要更高分辨率的曝光設(shè)備，也就是NA=0.55。好在ASML已經(jīng)完成了0.55NA曝光設(shè)備的基本設(shè)計（即NXE：5000系列），預(yù)計在2022年實現(xiàn)商業(yè)化。 Wm(:P
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