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2020-12-10 09:09 |
科學(xué)家找到制造更小、更節(jié)能的非硅基晶體管的新方法
據(jù)麻省理工新聞報(bào)道稱，科學(xué)家們已經(jīng)找到了用于制造更小、更節(jié)能的非硅基晶體管的新方法，它就是此前被用于高速通信系統(tǒng)的砷化銦鎵（InGaAs）材料。此前該材料給人留下的印象，就是其性能會(huì)在較小的尺度下出現(xiàn)滑坡。不過新研究已經(jīng)找到了問題關(guān)鍵，即所謂的氧化物陷阱，該現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致電子在流過晶體管時(shí)遭遇限制。 RD'i(szi?
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研究一作 Xiaowei Cai 解釋稱，晶體管應(yīng)該可以像開關(guān)那樣工作，并在接通電壓后產(chǎn)生預(yù)期中的大量電流。 *Q 2}Qbu
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但若遭遇電子束縛，就會(huì)發(fā)生即使接通了電壓，其中也只有相當(dāng)有限的電流經(jīng)過的情況。當(dāng)遇到這種氧化物陷阱時(shí)，晶體管的性能就會(huì)受到極大的影響。 7-MkfWH2b6
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