cyqdesign |
2021-01-19 21:02 |
突破“存儲墻” 整合處理器和內(nèi)存的“幻覺”混合芯片已經(jīng)被研發(fā)出來
來自斯坦福大學(xué)的一組研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種方法,將處理器和內(nèi)存結(jié)合在多個混合芯片上,使人工智能能夠在智能手機(jī)和平板電腦等電池供電的設(shè)備上運(yùn)行。該團(tuán)隊(duì)認(rèn)為,如果能運(yùn)行AI算法,各種電池供電的電子產(chǎn)品都會變得更加智能。問題是,為移動設(shè)備打造可支持AI的芯片的努力遇到了被稱為 "內(nèi)存墻"的東西。 x9/H/' 00I}o%akO
[attachment=105473]
Amr[wx “存儲墻”是數(shù)據(jù)處理和內(nèi)存芯片分離的名稱,一個完整的計算機(jī)系統(tǒng)中,運(yùn)算和存儲芯片必須一起工作才可以滿足計算需求。計算機(jī)科學(xué)家Subhasish Mitra表示,處理器和內(nèi)存之間的互操作通常會消耗執(zhí)行機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能所需能量的95%,嚴(yán)重限制了電池壽命,因此斯坦福大學(xué)的研究人員設(shè)計了一個系統(tǒng),能夠以更少的能量需求更快地運(yùn)行AI任務(wù)。 8KB>6[H!wE 4
%PfrJ 他們能夠通過利用8個混合芯片來實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),每個芯片都有自己的數(shù)據(jù)處理器,就建在自己的內(nèi)存存儲旁邊。這項(xiàng)新的研究建立在該團(tuán)隊(duì)之前對一種名為RRAM的新內(nèi)存技術(shù)的研究基礎(chǔ)上,這種技術(shù)能夠在關(guān)閉電源時也能存儲數(shù)據(jù),而且速度和能效都比閃存更高。RRAM讓該團(tuán)隊(duì)之前開發(fā)了一種混合芯片,但最新的設(shè)計有一個新的關(guān)鍵元素。
| |