全球十大功率器件廠商及經(jīng)典產(chǎn)品介紹

infineon（英飛凌）Infineon脫胎于西門子半導(dǎo)體部門，于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是歐洲最大的半導(dǎo)體公司，其功率半導(dǎo)體在全球排名第一。其主要功率器件產(chǎn)品包括高度可靠的IGBT、功率 MOSFET、氮化鎵增強型 HEMT、功率分立式元件、保護開關(guān)、硅驅(qū)動器、氮化鎵驅(qū)動器、IGBT 模塊、智能功率模塊（IPM）、線性調(diào)節(jié)器、電機控制解決方案、LED 驅(qū)動器以及各種交流-直流、直流-交流和數(shù)字功率轉(zhuǎn)換等，涵蓋了所有功率技術(shù)——硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），功率方面覆蓋微安級到兆瓦級。

ONSemiconductor（安森美）ON SemiconductorCorporation創(chuàng)立于1999年，是全球高性能電源解決方案供應(yīng)商。其主要功率器件產(chǎn)品包括汽車工業(yè)MOSFET、整流器、IGBT，全面的高能效電源和信號管理、邏輯、分立及定制方案陣容，使其在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用領(lǐng)域都有良好的表現(xiàn)。

ST（意法半導(dǎo)體）ST集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成，是世界最大的半導(dǎo)體公司之一，也是世界領(lǐng)先的分立功率器件供應(yīng)商之一。其產(chǎn)品范圍包含MOSFET (包括運用創(chuàng)新的MDmeshTM第二代技術(shù)的器件)、雙極晶體管、IGBT、肖特基與超快速恢復(fù)雙極工藝二極管、三端雙向可控硅開關(guān)及保護器件。此外，意法半導(dǎo)體的專利IPAD（集成有源和無源器件）技術(shù)，允許在單個芯片中整合多個有源和無源元件。

Mitsubishi（三菱電機）Mitsubishi成立于1921年，主營功率器件包括IGBT、IPM、MOSFET和SiC器件，并在白色家電、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)、軌道交通、綠色能源、衛(wèi)星、防御系統(tǒng)、電梯及自動扶梯、汽車用電子用品、空調(diào)、通風設(shè)備等領(lǐng)域的電力變換和電機控制中得到廣泛應(yīng)用。

Toshiba（東芝）Toshiba創(chuàng)立于1875年，是日本最大的半導(dǎo)體制造商，隸屬于三井集團。東芝的功率器件產(chǎn)品包括廣泛的二極管產(chǎn)品組合、雙極晶體管、VDSS為500~800V的中高壓DTMOSIV系列，VSS為12~250V的低電壓UMOS系列、SiC SBD，以及智能功率器件(IPD)IC，包括60V的低電壓IPD、和250V/500V的高壓IPD，可分別應(yīng)用于娛樂、汽車設(shè)備,以及家用電器和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。

Vishay（威世）Vishay集團成立于1962年，是世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商和供應(yīng)商之一。其主要產(chǎn)品包括無源和分立有源電子元件，特別是電阻、電容器、感應(yīng)器、二極管和晶體管。廣泛應(yīng)用于計算機、電話、電視、汽車、家用電器、醫(yī)療設(shè)備、衛(wèi)星、軍用及航空設(shè)備領(lǐng)域。